FQB5N90/FAIRCHILD 仙童/N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET

時(shí)間：2016-08-23作者：深圳市雅迪斯電子有限公司瀏覽：121

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管

  STW3N150 型號(hào) STW3N150 品牌 STW3N150 封裝 STW3N150 批號(hào) STW3N150 備注 STW3N150 ST意法 TO-247 2016+ 原裝**現(xiàn)貨 STW3N150 3N150 ST意法 TO-247 功率MOS管 STW3N150 N溝道 Si MOSFET STW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3針 TO-247封裝 STW3N150

• STP11NK40ZFP/P11NK40ZFP/400V/10/30W/功率MOSFET

  STP11NK40ZFP產(chǎn)品技術(shù)參數(shù) 數(shù)據(jù)列表 STP11NK40ZFP 標(biāo)準(zhǔn)包裝 50 包裝 管件 類別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單 系列 SuperMESH?? 規(guī)格 FET 類型 MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能 標(biāo)準(zhǔn) 漏源較電壓（Vdss） 400V 電流 - 連續(xù)漏較（Id）（25°C 時(shí)） 9A（Tc） 不同 Id，Vgs 時(shí)的 R

• BU406/FAIRCHILD仙童/TO-220/NPN晶體管

  BU406產(chǎn)品概述 BU406 是一款400V 7A硅外延平面NPN晶體管。 BU406 設(shè)計(jì)用于高速開(kāi)關(guān)應(yīng)用，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)TO-220封裝，提供設(shè)計(jì)靈活性以及出色的功耗性能。 BU406產(chǎn)品特性 高電壓能力 高開(kāi)關(guān)速度 低飽和電壓 BU406產(chǎn)品應(yīng)用 電視和CRT的水平偏轉(zhuǎn) FQD3P50 仙童 Fairchild TO-252 FQD4P40 仙童 Fairchild TO-252 FCD3

• HGTG5N120BND/5N120BND/仙童品牌/1200V/NPT/IGBT管

  HGTG5N120BND產(chǎn)品概述 HGTG5N120BND 基于非穿通（NPT）IGBT 設(shè)計(jì)。該 IGBT 非常適合許多工作頻率中等，而低傳導(dǎo)損耗又至關(guān)重要的高壓開(kāi)關(guān)應(yīng)用，如：UPS、光伏逆變器、電機(jī)控制以及電源。 HGTG5N120BND產(chǎn)品特性 10A, 1200V, TC = 110°C 低飽和電壓：V CE(sat) = 2.45 V，需 I C = 5 A 典型下降時(shí)間。. . . .