正負干擾抵消電光調Q干擾消除方法分析

時間：2016-11-28

作者：長春艾克思科技有限責任公司

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詞條說明
MOS管并聯均流技術分析 IGBT管并聯均流技術分析
MOS管并聯均流技術分析 IGBT管并聯均流技術分析 BJT?管并聯均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內阻低、耐壓高、電流大、驅動簡易等優良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯mos管的問題。并聯mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數的篩選。首先我們測試從某網店購買的IRF4
可編程高壓電源
一、應用范圍 1、高壓實驗 2、電器設備的絕緣耐壓測試 3、高壓電容耐壓測試 4、電子加速實驗 5、電離空氣產生等離子體 6、半導體器件測試 7、IGBT測試 8、二極管測試二、電源參數類型數值單位備注輸出電壓 0-20.00 kV 電壓控制 0-5 V 電源自帶的多圈電位器可通過0-5V調節輸出的0-20kv 過流保護 5 W 當輸出功率大于5W時，電源自動啟動保護輸出功率 0
MOS管并聯均流技術分析 IGBT管并聯均流技術分析
MOS管并聯均流技術分析 IGBT管并聯均流技術分析 BJT?管并聯均流技術分析 ? ? 普通的功率MOSFET因為內阻低、耐壓高、電流大、驅動簡易等優良特性而得到了廣泛應用。當單個MOSFET的電流或耗散功率不滿足設計的需求時就遇到了并聯mos管的問題。并聯mos管的兩大問題，其一就是mos管的選型，其二就是mos管參數的篩選。首先我們測試從某網店購買的IRF4
首創：5kHz電光調Q電源增加壓電振鈴效應抑制功能！
**：5kHz電光調Q電源增加壓電振鈴效應抑制功能！電光調Q開關是利用晶體的電光效應制成的Q開關。電光調Q開關的開關速度快、器件的效率高等優點！但是正是由于較高的開關速度，在調Q器件兩端都會形成壓電振鈴效應，這一效應增大了調Q開關的熱損耗。 ? 壓電振鈴效應：調Q驅動器通過導線和晶體連接，連接導線等效為一個諧振電感L，晶體等效為一個諧振電容C，如圖1所示；電光調Q過程是一個高壓窄脈沖過程，高壓脈