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?????? 晶閘管(Thyristor)是晶體閘流管的簡稱,又可稱做可控硅整流器,簡稱可控硅。1957年美國通用電器公司開發出世界上**特種晶閘管產品,并于1958年使其商業化;晶閘管是PNPN四層半導體結構,它有三個較:陽極,陰極和門較;晶閘管工作條件為:加正向電壓且門較有觸發電流。其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,光控晶閘管等。
? ? ? ?一種以硅單晶為基本材料的P1N1P2N2四層三端器件,創制于1957年,由于它特性類似于真空閘流管,所以**上通稱為硅晶體閘流管,簡稱晶閘管T。又由于晶閘管較初應用于可控整流方面所以又稱為硅可控整流元件,簡稱為可控硅SCR。 ? ? ? ?在性能上,可控硅不僅具有單向導電性,而且還具有比硅整流元件(俗稱
? ? ? ?三相固態繼電器(SSR)均為過零型,即三相SSR只能作“開關”,不能作“調壓”。實際上三相SSR是把三個單相SSR做在一起,并用一個輸入端控制。對實際負載電流不大的場合,三相SSR使用起來比較方便,但電流大時發熱亦大,這時使用三只單相SSR較為可靠(因三只單獨分開比集中在一起散熱效果好,控制方法:三個輸入端可串聯或并聯),另外如負載短路造成SS
固態繼電器或模塊的發熱量主要跟所驅動的負載的實際電流有關,而與其本身的電流等級大小關系不大。??????發熱量的計算公式(兩種): 1:單相固態繼電器、單相交流調壓模塊、R系列固體調壓器 發熱量=實際負載電流(安培)×1.5瓦/安培 對三相固態繼電器、三相交流調壓模塊,其實際負載電流應為三相實際負載電流之和。 2:對于單相全控整流模塊
公司名: 武漢武整機電有限公司
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地 址: 湖北武漢江夏區湖北省武漢市江夏區東湖**開發區光谷二路與高新五路交匯處北首地塊
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