PN8368 內(nèi)置mos充電器IC方案

時間：2020-01-05作者：深圳市驪微電子科技有限公司瀏覽：301

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  詞條說明

• PN8366 5V1.2A充電器方案

  PN8366產(chǎn)品描述：PN8366集成**低待機功耗準諧振原邊控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET(PN8366M 700*8366H 800V)，用于高性能、外圍元器件精簡的充電器、適配器和內(nèi)置電源。PN8366為原邊反饋工作模式，可省略光耦和TL431。內(nèi)置高壓啟動電路，可實現(xiàn)芯片空載損耗（230VAC）小于30mW。在恒壓模式，采用準諧振與多模式技術(shù)提高效率并消除音頻噪聲，使得系統(tǒng)滿足6

• PN8161 18W PD充電器芯片

  PN8161概述：PN8161內(nèi)部集成了準諧振工作的電流模式控制器和功率MOSFET，**于高性能、外圍元器件精簡的交直流轉(zhuǎn)換開關(guān)電源。該芯片提供了較為全面和性能優(yōu)異的智能化保護功能，包括輸出過壓保護、周期式過流保護、過載保護、軟啟動功能。通過QR-PWM、QR-PFM、Burst-mode的三種模式混合調(diào)制技術(shù)和特殊器件低功耗結(jié)構(gòu)技術(shù)實現(xiàn)了**低的待機功耗、全電壓范圍下的較佳效率。頻率調(diào)制技術(shù)和S

• 5V2.1A電源方案的特點

  5V2A的電源適配器是市場上應用比較多的類型，它支持的功能全面，而且穩(wěn)定，驪微電子小編向大家推薦一款5V2A電源適配器ic方案：PN8147 電源芯片，方案擁有可恢復短路保護，過載保護，VDD 過壓保護，過溫保護，外圍元件少，是充電器和適配器方案的可能之選！5V2A電源適配器ic方案PN8147特點：內(nèi)置650V高雪崩能力的功率MOSFETHi-mode（60kHz PWM）Eco-mode（動態(tài)

• QC3.0快充18W充電器方案

  由于人們對于智能手機的依賴，往往都是一天一充，甚至使用強度稍大時要一天兩充，這對我們的生活造成很大不便，如果緊急情況下手機突然斷電了，必然會對生活造成影響，驪微電子推出18W PD快速充電器方案，充電功率可達18W，智能兼容12V、9V和5V多種電壓。?QC3.0快充18W充電器方案：電路是一種基于PN8161和PN8307H設計輸出5V3A,9V2A,12V/1.5A的快充電源。18W