MOS管失效原因是什么？

時間：2019-12-18作者：司坦森集成電路（深圳）有限公司瀏覽：644

司坦森集成電路（深圳）有限公司專注于STP6621,STN4438等

• 詞條

  詞條說明

• 臺灣STANSON廠家STC4614 規(guī)格參數(shù)NP40V 10A

  描述STC4614是N和P溝道采用高密度增強型功率場效應(yīng)晶體管DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度的過程，特別是量身定制，以盡量減少對狀態(tài)的阻力并提供優(yōu)越的開關(guān)性能。該裝置特別適合于低電壓應(yīng)用如筆記本電腦電源管理和其他電池供電電路，在高側(cè)開關(guān)，低的在線功率損耗和電阻瞬態(tài)是必要的STC4614 參數(shù)：N溝道40V／10.0A，RDS（ON）= 25mΩ（典型值）@ VGS = 10V40V／6A，RDS

• STN4402參數(shù) 30V 12A 廠家直銷MOS管場效應(yīng)管

  產(chǎn)品描述：STN4402是N溝道增強型功率場效應(yīng)晶體管邏輯，它是利用高密度，DMOS器件溝道技術(shù)。這種高密度過程是特別定制，以盡量減少工作時的阻力。這些器件特別適合于低電壓應(yīng)用，如電源管理和其他高側(cè)開關(guān)的電池供電電路特征30V?/?12A，RDS（ON）=?13MΩ（典型值）@?VGS?=?10V30V／10A，RDS（ON）= 

• 司坦森/STANSON 細說MOS管

  一、什么是MOS管？MOS管全稱金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管或稱金屬—絕緣體—半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，英文名metal oxide semiconductor，屬于場效應(yīng)管中的絕緣柵型，因此，MOS管有時候又稱為絕緣柵場效應(yīng)管。二、MOS管的構(gòu)造。MOS管這個器件有兩個電極，分別是漏較D和源較S，無論是圖一的N型還是圖二的P型都是一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上，用半導(dǎo)體光刻、擴散工藝制作兩個

• MOS管STN2610 參數(shù) N60V 50A 應(yīng)用于電子測量儀器 原廠庫存足 交貨快

  STN2610D替代AO442G、50N06、NCE6050K描述stn2610d使用溝槽技術(shù)，提供優(yōu)良的RDS（ON）和柵較電荷。這些設(shè)備是適合作為負載開關(guān)或在應(yīng)用程序使用。特征60v / 10.0a，RDS（上）= 10mΩ（典型值@ VGS = 10v60v / 8.0a，RDS（上）= 12m@ VGS = 4.5v**高密度電池設(shè)計較低的RDS（on）特殊的阻力和較大直流電流能力to-25