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在現代電力電子技術飛速發展的今天,高效穩定的功率半導體器件成為各行業轉型升級的重要支撐。作為電力電子系統的核心部件,IGBT驅動模塊的性能直接影響整個系統的可靠性與效率。西門康IGBT驅動以其卓越的技術特性和穩定的產品質量,在工業應用領域贏得了廣泛認可。核心技術優勢西門康IGBT驅動模塊具備精確的驅動能力,能夠快速響應控制信號,實現對IGBT開通與關斷過程的精準控制。這一特性顯著降低了開關過程中的
什么是可控硅可控硅在自動控制控制,機電領域,工業電氣及家電等方面都有廣泛的應用。可控硅是一種有源開關元件,平時它保持在非道通狀態,直到由一個較少的控制信號對其觸發或稱“點火”使其道通,一旦被點火就算撤離觸發信號它也保持道通狀態,要使其截止可在其陽極與陰極間加上反向電壓或將流過可控硅二極管的電流減少到某一個值以下。可控硅二極管可用兩個不同極性(P-N-P和N-P-N)晶體管來模擬,如圖G1所示。當可
可控硅模塊使用時間長了,它的溫度就會升高,如果溫度過高就容易損壞,并且降低使用壽命,這就需要我們了解測試可控硅模塊的升溫方法:1、可控硅模塊環境溫度的測定:在距被測可控硅模塊表面1.5m處放置溫度計,溫度計測點距地面的高度與減速機軸心線等高,溫度計的放置應不受外來輻射熱與氣流的影響,環境溫度數值的讀取與工作溫度數值的讀取應同時進行。2、可控硅模塊溫升按下式計算:式中:Δt--可控硅模塊的溫升,℃。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型晶體管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小,開關速度快,但導通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優
公司名: 昆山奇沃電子有限公司
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電 話: 0512-50111678
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地 址: 江蘇蘇州昆山市昆山市玉山鎮富士康路932號
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