國芯思辰|瞬態抑制二極管（TVS）P6KE系列可替換進口型號應用于I/O接口的防護

時間：2023-01-06作者：國芯思辰（深圳）科技有限公司瀏覽：289

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• 國芯思辰｜以海速芯8位MCU TM52F1376為主控實現的直發器設計方案

  直發器是一種通過發熱元件把頭發加熱，軟化，然后再冷卻，以達到直發目的的生活電器，下圖是直發器的原理框圖：該類設備可采用國產海速芯8位MCU TM52F1376為主控， 該MCU支持工業級工作溫度范圍-40~+85℃，工作電壓范圍2.2~5.5V電源電壓，也被廣泛應用于空氣凈化器、測量儀器等。TM52F1376應用于直發器有如下應用優勢：1、8051內核，主頻18MHz，同時內置16字節的Flash

• 里陽半導體可控硅LTH16-08可用于電熱毯中的溫度控制器

  電熱毯在加溫電路中的負載可能是加熱管或者是加熱棒、加熱絲等，因此雙向可控硅在加溫電路中起到的是調壓調溫作用。可控硅電熱毯溫控器，它可以把電熱毯的溫度控制在一個適宜的范圍內，本文推薦使用里陽半導體可控硅LTH16-08應用于電熱毯中的溫度控制器。以上是溫度控制器中的可控硅調壓調溫電路，工作原理：R、RP、C、D 組成脈沖形成網絡觸發雙向可控硅VT， 使VT在市電正負半周均保持相應正反向導通。改變可調

• 國芯思辰｜可替換C3D10065A的碳化硅肖特基二極管：基本半導體650V/10AB2D10065K1助力1KW PFC電源設計

  在1KW PFC電源設計中，功率因數校正部分市場上主流的器件方案為Si MOS管：Q1\Q2、續流二極管D1/D2、升壓電感L1/L2組成，為后級提供穩定的直流電源。在PFC功率因數校正方面如果對系統效率要求不高的情況下，可使用Si快速恢復二極管（FRD）；然而在一些要求效率更高的場合，如5G通信電源，電摩充電器電源中的運用需要更高的效率。本文重點提到國產基本半導體650V/10A碳化硅肖特基二較

• 國芯思辰｜基本半導體碳化硅MOS B1M032120HK替代C3M0032120K助力氫能源發電機，工作結溫-55~175℃

  氫能發電機特指以氫氣為原料的發電機，原理類似傳統內燃機，經過吸氣、壓縮、爆炸、排氣過程，帶動電機產生電流輸出。氫能發電機是一種環保型的發電設備，具有無噪音、零排放和移動性強的特點。其效率要求也非常高，但傳統的功率MOS已經很難滿足發電機高開關頻率的要求，而碳化硅MOS則可以很好的滿足這一應用。某氫能發電機項目現需要一漏源電壓1200V，電流80A以上的碳化硅MOS。可采用基本半導體的B1M0321