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全新三菱模塊Q2MEM-1MBS全新三菱模塊Q2MEM-1MBS全新三菱模塊Q2MEM-1MBSIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,絕緣柵雙較型晶體管)模塊是所有工業設備變頻化必需的元器件,從20世紀90年代產品化開始,該產品就向著大電流、耐高壓方向發展。此外,其產品芯片結構從平面柵較結構發展為溝槽柵較結構,并且憑借CSTBT?M結構(本公司運用載流子儲存
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公司名: 上海持承自動化設備有限公司
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