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原裝** 貼片 LMBT3904LT1G 1AM LMBT3906LT1G 2A NPN/PNP晶體管


    深圳市南北行電子發展有限公司專注于IC類,阻容類,二三極管類,變壓器類,連接器類,按鍵類,私人訂制BOM配單等

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    詞條說明

  • 原裝正品 FT24C04A-KLR-T SOT23-5 24C04 I2C接口 EEPROM存儲器

    描述FT24C04A/08A/16A系列是4096/8192/16384位的串行電氣可擦除和可編程只讀存儲器,通常稱為EEPROM。它們被組織為512/1024/2048個單詞,每個單詞為8位(1字節)。該設備采用專有的先進CMOS工藝制造,用于低功率和低壓應用。這些設備可提供標準的8鉛DIP、8鉛SOP、8鉛TSSOP、8鉛DFN、8鉛MSOP和5鉛SOT-23/TSOT-23包裝。一個標準的雙

  • 供應UP0109PSW8 液晶電源液晶芯片貼片SOP-8 原裝正品

    uP0109是一個超低輟學線性調節器,專門設計為DDR存儲系統提供終端電壓。該設備設計與低電阻NMOSFETs,能夠下沉/采購高達2A輸出電流。 該設備使用雙電源、控制電路的控制輸入和低至1.0V的電源輸入來提供輸出電流。輸出電壓被嚴格控制,以跟蹤20mV變化范圍內的參考電壓輸入,并進行快速到線/負載瞬態。 其他功能包括芯片關機功能、軟啟動、片上熱保護和雙向限流保護。uP0109有PSOP-8L、

  • 供應 FS8205 GM8205 鋰電池保護IC 貼片TSSOP-8 全新原裝

    深圳市南北行電子發展有限公司 GM8205A 雙N通道高密度溝槽MOSFET(20V、6.0A) 產品摘要VDSSIDRDS(on)(m-歐姆)最大28@VGS=4.0V,ID=6.0A20V6.0A40@VGS=2.5V,ID=5.2A 特點先進的溝工藝技術高密度電池設計超低電阻鉛免費產品獲得表面安裝包 絕對最大額定功率(TA=25oC,除非另有說明)符號參數額定功率單元VDS排水源電壓20VV

  • 全新原裝AO3407 貼片SOT23-3 30V 4.1A P溝道 MOS場效應管

    AO3407采用先進的溝槽技術,提供優良的RDS(ON)。該設備適用于作為負載開關或在PWM應用程序中使用。 AO3407 規格信息: 包裝標準卷帶 系列- 零件狀態有源 FET 類型P 通道 技術MOSFET(金屬氧化物) 漏源電壓(Vdss)30V 電流 - 連續漏極(Id)(25°C 時)4.1A(Ta) 驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V 不同Id,Vgs

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