詞條
詞條說(shuō)明
輸出電容的選擇輸出電容是用來(lái)補(bǔ)償LDO穩(wěn)壓器的,所以選擇時(shí)必須謹(jǐn)慎。基本上所有的LDO應(yīng)用中引起的振蕩都是由于輸出電容的ESR過(guò)高或過(guò)低。LDO的輸出電容,通常鉭電容是較好的選擇(除了一些專門設(shè)計(jì)使用陶瓷電容的LDO,例如:LP2985)。測(cè)試一個(gè)AVX的4.7uF鉭電容可知它在25℃時(shí)ESR為1.3Ω,該值處在穩(wěn)定范圍的中心。另一點(diǎn)非常重要,AVX電容的ESR在-40℃到+125℃溫度范圍內(nèi)的變
儲(chǔ)存快充芯片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)
一、快速充電原理快速充電技術(shù)將成為手機(jī)標(biāo)配。在電池容量無(wú)法迅速**突破,手機(jī)用電量又飛速增長(zhǎng)的前提下,快速充電技術(shù)普及尤為必要。中國(guó)信息通信研究院對(duì)快速充電的定義是:30分鐘充電進(jìn)入電池的平均電流大于3A或者30分鐘充電電量大于60%。快速充電系統(tǒng)包括快充標(biāo)準(zhǔn),快充電源適配器,接口E-marker芯片,充電線纜,手機(jī)快充芯片,電池等多個(gè)部分。各部分都必須針對(duì)不同標(biāo)準(zhǔn)專門設(shè)計(jì),才能實(shí)現(xiàn)快充功能,并且
區(qū)別LDO是一種微功耗的低壓差線性穩(wěn)壓器,它通常具有較低的自有噪聲和較高的電源抑制比PSRR(Power Supply Rejection Ratio)。LDO是新一代的集成電路穩(wěn)壓器,它與三端穩(wěn)壓器較大的不同點(diǎn)在于,LDO是一個(gè)自耗很低的微型片上系統(tǒng)(SoC)。它可用于電流主通道控制,芯片上集成了具有較低線上導(dǎo)通電阻的MOSFET,肖特基二極管、取樣電阻和分壓電阻等硬件電路,并具有過(guò)流保護(hù)、過(guò)溫
LDO的應(yīng)用非常簡(jiǎn)單,很多LDO僅需在輸入端及輸出端各接一顆電容即可穩(wěn)定工作。在LDO的應(yīng)用中需要考慮壓差、靜態(tài)電流、PSRR等重要參數(shù)。在以電池作為電源的系統(tǒng)中,應(yīng)當(dāng)選擇壓差盡量低的LDO,這樣可以使電池較長(zhǎng)時(shí)間為系統(tǒng)供電,比如NCP600,NCP629等等。靜態(tài)電流Iq是Iquiescent的縮寫,指芯片自身所消耗的電流。在一些低功耗應(yīng)用中,應(yīng)當(dāng)盡量選擇Iq小的LDO。一些工程師在設(shè)計(jì)低功耗系
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