詞條
詞條說明
1.熔斷器類型的選用根據(jù)使用環(huán)境、負(fù)載性質(zhì)和短路電流的大小選用適當(dāng)類型的熔斷器。例如,對(duì)于容量較小的照明電路,可選用RT系列圓筒帽型熔斷器;相對(duì)于短路電流相當(dāng)大或有易燃?xì)怏w的地方,應(yīng)選用RT系列有填料密封管式熔斷器;在機(jī)床控制電路中,多選用RL系列螺旋式熔斷器;用于半導(dǎo)體功率元件及晶閘管的保護(hù)時(shí),應(yīng)選用RS或RLS系列快速熔斷器。2.熔斷器額定電壓和額定電流的選用熔斷器的額定電壓必須不小于電路的額
高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測(cè)試?
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊,如圖4所示。電壓等級(jí)1200V,電流等級(jí)1200A。IGBT5本身具有高工作結(jié)溫的特點(diǎn),可以達(dá)到175℃。為了充分發(fā)揮其高工作結(jié)溫特點(diǎn),新一代PrimePACK?2封裝結(jié)合較新的.XT技術(shù)和新的設(shè)計(jì)方法,在保持上一代封裝尺寸的基礎(chǔ)上使得模塊電流輸出能力提升了33%。因此本實(shí)驗(yàn)選用此高功率密度IGBT模塊,分別使用兩種驅(qū)動(dòng)對(duì)
可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí),BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí),如果從控制較G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào),BG2便有基流ib2流過,經(jīng)BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基較相連,所以ib1=ic2。此時(shí),電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集
可控硅的工作原理和主要作用一、可控硅的工作原理為:1、要使晶閘管導(dǎo)通,一是在它的陽極A與陰極K之間外加正向電壓,二是在它的控制較G與陰極K之間輸入一個(gè)正向觸發(fā)電壓。晶閘管導(dǎo)通后,松開按鈕開關(guān),去掉觸發(fā)電壓,仍然維持導(dǎo)通狀態(tài)。2、但是,如果陽極或控制較外加的是反向電壓,晶閘管就不能導(dǎo)通。控制較的作用是通過外加正向觸發(fā)脈沖使晶閘管導(dǎo)通,卻不能使它關(guān)斷。使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷,可以斷開陽極電源(圖3中的開關(guān)
公司名: 上海秦邦電子科技有限公司
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