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詞條說(shuō)明
可控硅模塊批發(fā) 如何處理可控硅模塊電流異常現(xiàn)象
可控硅模塊批發(fā) 如何處理可控硅模塊電流異常現(xiàn)象在實(shí)際應(yīng)用中,可控硅模塊中不一定總是有直流偏置電壓。非極性鉭電容器也可以制造,但價(jià)格昂貴,儲(chǔ)存后可能無(wú)法使用。如果兩個(gè)相同的可控硅模塊背靠背連接,則可以獲得非極性電容。總電容為每個(gè)串聯(lián)電容的一半,即C/2。在連接電源的瞬間,萬(wàn)用表的表針應(yīng)具有較大的擺動(dòng)幅度。可控硅模塊的容量越大,表針的擺動(dòng)幅度越大。擺動(dòng)后,表針可逐漸返回到零位。如果可控硅模塊的指針在電
? ? ? IGBT是能源變換與傳輸?shù)?*器件,俗稱(chēng)電力電子裝置的“CPU”,作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車(chē)與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用較廣。? ? ? IGBT模塊是由IGBT(絕緣柵雙較型晶體管芯片)與FWD(續(xù)流二極管芯片)通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品;封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器
? ? ? ?整流橋通常帶有足夠大的電感性負(fù)載,因此整流橋不會(huì)出現(xiàn)電流斷續(xù)。整流橋負(fù)載端常接有平波電抗器,可將整流橋負(fù)載視為恒流源。整流橋的作用:1.可將交流發(fā)動(dòng)機(jī)產(chǎn)生的交流電轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷麟姡詫?shí)現(xiàn)向用電設(shè)備供電和向蓄電池進(jìn)行充電2.限制蓄電池電流倒轉(zhuǎn)回發(fā)動(dòng)機(jī),保護(hù)交流發(fā)動(dòng)機(jī)不被燒壞。
igbt模塊使用中的注意事項(xiàng)由于IG模塊為MOSFET結(jié)構(gòu),IG的柵較通過(guò)一層氧化膜與**器隔離。由于氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達(dá)到20~30V。因此,IG失效的常見(jiàn)原因之一是靜電導(dǎo)致柵較擊穿。因此,在使用中應(yīng)注意以下幾點(diǎn):使用模塊時(shí),盡量不要用手觸摸驅(qū)動(dòng)端子。當(dāng)需要觸摸模塊端子時(shí),在觸摸之前,用大電阻將人體或衣服上的靜電接地放電;使用導(dǎo)電材料連接模塊驅(qū)動(dòng)端子時(shí),請(qǐng)勿在接線(xiàn)前連接模塊;igbt模塊
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