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由于IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵較通過一層氧化膜與發射較實現電隔離。由于此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵較擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電后,再觸摸;在用導電材料連接模塊驅動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模
SEMIKRONINTERNATIONAL GmbH由Fritz Martin博士創建于1951年,是一家的半導體器件制造商。賽米控公司總部位于德國紐倫堡,擁有**過3000名員工,是財政獨立的家族式企業。? ? ?賽米控在共有37家子公司,在德國、巴西、中國、法國、印度、意大利、韓國、斯洛伐克、南非和美國分別設有生產基地,共有8個方案解決中心(分別在:中國,美國,法國
低壓配電系統中熔斷器是起安全保護作用的一種電器,熔斷器廣泛應用于電網保護和用電設備保護,當電網或用電設備發生短路故障或過載時,可自動切斷電路,避免電器設備損壞,防止事故蔓延。熔斷器由絕緣底座(或支持件)、觸頭、熔體等組成,熔體是熔斷器的主要工作部分,熔體相當于串聯在電路中的一段特殊的導線,當電路發生短路或過載時,電流過大,熔體因過熱而熔化,從而切斷電路。熔體常做成絲狀、柵狀或片狀。熔體材料具有相對
利用金屬導體作為熔體串聯于電路中,當過載或短路電流通過熔體時,因其自身發熱而熔斷,從而分斷電路的一種電器。熔斷器結構簡單,使用方便,廣泛用于電力系統、各種電工設備和家用電器中作為保護器件。
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?IGBT-Module|現貨供應|FZ1200R16KF4 1200A
Infineon英飛凌IGBT模塊|一手貨源|FZ1800R16KF4 1800A
功率半導體igbt|一件也是批發價|FZ2400R17KE3 2400A
IGBT驅動電路|現貨供應|FZ1800R17KE3_B2 1800A
英飛凌igbt單管|貨源穩定|FZ800R16KF4 800A
大功率igbt高壓可控硅|原盒原包|FZ2400R17KF6C_B2 2400A
功率晶閘管半導體IGBT模塊|一手貨源|FZ1600R17KE3_B2 1600A