KRi 離子源 e-beam 電子束蒸發系統輔助鍍膜應用
- 時間：2024-01-12作者：伯東企業（上海）有限公司瀏覽：83
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詞條
詞條說明
某半導體工廠在生產線上氣體輸送環節的氣體管路系統采用伯東?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?，作為真空隔離密封.??HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術規格:??閥門材質:?-?閥門主體?304?不銹鋼?-?焊接波紋
上海伯東美國?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積 和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性
國內某?OLED?鍍膜機廠家配置伯東美國?HVA?真空閥門?11000?系列，尺寸以?4”, 6”, 8”閥門口徑為主的標準不銹鋼氣動高真空閘閥,?HVA?不銹鋼真空閘閥?11000?系列標準技術規格:??下圖是某?OLED?鍍膜機廠家配置上海伯東美
上海伯東某客戶在熱蒸發鍍膜機中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3
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