KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜

時間：2024-01-12

作者：伯東企業（上海）有限公司

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KRi 射頻離子源 IBSD離子束濺射沉積應用
上海伯東美國?KRi 考夫曼 RF 射頻離子源, 燈絲提供高能量, 低濃度的寬束離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD 離子束濺射沉積和 ?IBD 離子束沉積是其典型的應用.KRi?離子源在 IBSD 離子束濺射沉積應用通常安裝兩個離子源主要濺射沉積源和二次預清潔 / 離子輔助源一次氣源為惰性氣體, 二次氣源為惰性或反應性
上海伯東KRI離子源在半導體材料中的預清洗及刻蝕應用
半導體材料（semiconductor material）是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導纖維、電子工業的重要部件、光學儀器、工藝品和耐火材料的原料，是科學研究的重要材料。?本文主要介紹上海伯東KRI離子源在半導體材料SiO2中的預清洗及刻
振動樣品磁強計 VSM 磁滯回線測試應用|上海伯東代理英國進口Nano
振動樣品磁強計 VSM 磁滯回線測試應用上海伯東代理英國 NanoMagnetics 儀器振動樣品磁強計 VSM 主要用于測量塊狀, 粉末, 薄片, 單晶和液體各種材料的測量. 振動樣品磁強計 VSM 可完成磁滯回線, 起始磁化曲線, 退磁曲線及溫度特性曲線, IRM 和 DCD 等曲線的測量. 搭配不同的高低溫選件可進行磁化數據的溫度函數的測量, 測定居里溫度點等. 上海伯東代理英國 Nano
KRI 考夫曼射頻離子源濺射制備微晶硅薄膜
硅薄膜作為薄膜太陽能電池的材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質及優良的光學穩定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領域的研究熱點.?采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設備成本, 且工藝參數控制, 因此經過