關于可控硅
- 時間：2015-05-19作者：深圳高科特半導體有限公司瀏覽：169
深圳高科特半導體有限公司專注于可控硅,MOS管,二三極管等
詞條
詞條說明
鑒別可控硅三個較的辦法很簡單，依據P-N結的原理，只要用萬用表丈量一下三個較之間的電阻值就可以。 陽極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上，陽極和操控較之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個P-N結，并且方向相反，因而陽極和操控較正反向都不通）。 操控較與陰極之間是一個P-N結，因而它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的規模，反向電阻比正向電阻要大。可是操控較二極管特性是不太抱負的，反向
類別 型號 IC 1302 IC 1117S15 IC 1117S33 IC 1117S50 IC 1117SADJ IC BT2323 IC IC5168 IC K3055 IC L6008L8 IGBT 15N120 IGBT 20N120 IGBT 25N120 IGBT DG15N120 場效應管 10**0 場效應管 2**0 場效應管 4**0 場效應管 5**0 場效應管 6**0
標簽：關于可控硅
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