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IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關,IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點,如驅動功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續流二極管芯片)通過特定的
1)柵電壓IGBT工作時,必須有正向柵電壓,常用的柵驅動電壓值為15~187,最高用到20V, 而棚電壓與柵極電阻Rg有很大關系,在設計IGBT驅動電路時, 參考IGBT Datasheet中的額定Rg值,設計合適驅動參數,保證合理正向柵電壓。因為IGBT的工作狀態與正向棚電壓有很大關系,正向柵電壓越高,開通損耗越小,正向壓降也越小。2)Miller效應為了降低Miller效應的影響,在IGBT柵
IGBT的作用 IGBT是一種功率晶體管,運用此種晶體設計之UPS可有效提升產品效能,使電源品質好、效率高、熱損耗少、噪音低、體積小與產品壽命長等多種優點。 IGBT主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調的交流電。它有陰極,陽極,和控制極。關斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路,接通的時候存在很小的電阻,通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關斷。 IGBT選型四個基本
IGBT 的驅動和保護進行了分析,結合實際應用,得出了如下幾點結論:1. 柵極串聯電阻和驅動電路內阻抗對 IGBT 的開通過程及驅動脈沖的波形都有很大影響。設計時應綜合考慮。2. 在大電感負載下,IGBT 的開關時間不能太短,以限制出 di/dt 形成的尖峰電壓,確保 IGBT 的安全。3. 由于 IGBT 在電力電子設備中多用于高壓場合,故驅動電路與控制電路在電位上應嚴格隔離,驅動電路與 IGB
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