詞條
詞條說(shuō)明
按功能結(jié)構(gòu)分類集成電路按其功能、結(jié)構(gòu)的不同,可以分為模擬集成電路和數(shù)字集成電路兩大類。按制作工藝分類集成電路按制作工藝可分為半導(dǎo)體集成電路和膜集成電路。膜集成電路又分類厚膜集成電路和薄膜集成電路。按導(dǎo)電類型不同分類集成電路按導(dǎo)電類型可分為雙較型集成電路和單較型集成電路。雙較型集成電路的制作工藝復(fù)雜,功耗較大,代表集成電路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等類型。單較型集成電路的制作工
什么是內(nèi)存**頻??jī)?nèi)存有默認(rèn)頻率(內(nèi)存標(biāo)簽上有頻率標(biāo)記),CPU也有默認(rèn)支持的穩(wěn)定頻率。DDR3為1333MHz/1600MHz,DDR4為2133MHz/2400MHz。如果一個(gè)DDR430000頻率的內(nèi)存模塊,那么當(dāng)電腦打開(kāi)時(shí),內(nèi)存只會(huì)以2133/2400mHz的頻率運(yùn)行。這時(shí)內(nèi)存設(shè)置**頻,內(nèi)存的讀寫(xiě)性能會(huì)大大提高!內(nèi)存**頻方法:內(nèi)存**頻預(yù)設(shè)(XMP**頻),允許CPU正確識(shí)別內(nèi)存的默認(rèn)頻率。XM
開(kāi)關(guān)電源芯片TB3818的兩種工作模式是什么
CCM連續(xù)導(dǎo)通模式:在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi),電感電流從不會(huì)到0。通俗來(lái)講就是電感“從不復(fù)位”,意味著在開(kāi)關(guān)周期內(nèi)電感磁通量從不為0,功率管閉合后,電感中還有電流流過(guò)。DCM非連續(xù)導(dǎo)通模式或者叫斷續(xù)導(dǎo)通模式:在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi),電感電流總會(huì)會(huì)到0。通俗來(lái)講就是電感被“適當(dāng)復(fù)位”,功率管閉合后,電感中電流為0。開(kāi)關(guān)電源芯片TB3818的兩種工作模式DCM和CCM的比較:1、DCM模式功耗較低,DCM轉(zhuǎn)換效率較
【回收skhynix內(nèi)存】?jī)?nèi)存條簡(jiǎn)介
內(nèi)存條簡(jiǎn)介存儲(chǔ)器是數(shù)字系統(tǒng)中用以存儲(chǔ)大量信息的設(shè)備或部件,是計(jì)算機(jī)和數(shù)字設(shè)備中的重要組成部分。存儲(chǔ)器可分為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)和只讀存儲(chǔ)器(ROM)兩大類。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)既可向*單元存入信息又可從*單元讀出信息。任何RAM中存儲(chǔ)的信息在斷電后均會(huì)丟失,所以RAM是易失性存儲(chǔ)器。ROM為只讀存儲(chǔ)器,除了固定存儲(chǔ)數(shù)據(jù)、表格、固化程序外,在組合邏輯電路中也有著廣泛用途。
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