晶圓切片不良芯片收購

時(shí)間：2023-03-07作者：龐博電子有限公司（中國香港）瀏覽：76

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• nand waferIC裸片大量處理

  nand waferIC裸片大量處理IC裸片 IC裸片 IC裸片 ：裸導(dǎo)線和塑料絕緣線的溫度一般不**過70℃；橡膠絕緣線的溫度不得**過65℃；變壓器的上層油溫不得**過85℃；電力電容器外殼溫度不得**過65℃等。這就是說電氣設(shè)備正常的發(fā)熱是允許的。但當(dāng)電氣設(shè)備的正常運(yùn)行遭到破壞時(shí)，發(fā)熱量增加，溫度升高，在一定條件下，可能引起火災(zāi)。引起電氣設(shè)備過熱的不正常運(yùn)行大體包括以下幾種情況：短路：發(fā)生短路時(shí)，線

• 骨架晶片廢舊芯片貴金屬回收

  骨架晶片廢舊芯片貴金屬回收 廢舊芯片 廢舊芯片 低壓斷路器在正常工作條件下其額定頻率和額定電壓分別與所在回路的頻率、標(biāo)稱電壓相適應(yīng)；同時(shí)，其應(yīng)該滿足在短路條件下時(shí)的分?jǐn)嗄芰ΑＥe例分析容量為315kVA的三相變壓器，以施耐德系類的斷路器為例，變壓器低壓側(cè)總斷路器的整定與選擇過程如下：計(jì)算變壓器低壓側(cè)的額定電流：確定低壓斷路器長延時(shí)過電流脫扣器的整定電流，根據(jù)1.1內(nèi)容在結(jié)合施耐德斷路器選型手冊，選擇

• 海力士晶片不良IC回收企業(yè)

  海力士晶片不良IC回收企業(yè)不良IC 不良IC 不良IC 萬用表測三插上的地線孔。電阻測量：對地電阻10Ω以內(nèi)有接，無窮大∞沒接。電壓測量：交流500v檔，地線孔對火線孔有175-250v電壓，有接。沒電壓，沒接。如果沒有萬用表就用25w家用白熾燈泡測試，接好燈座，留少許線纜，兩線剝出2cm金屬線，*插火線孔，*插地線孔，燈泡發(fā)光，有地線。不發(fā)光，沒地線。地線如果接到大地上，它和大地的電阻理論上

• 廢舊晶片降級(jí)晶片芯片回收

  廢舊晶片降級(jí)晶片芯片回收降級(jí)晶片 降級(jí)晶片 降級(jí)晶片 三相HB型1.2°的步進(jìn)電機(jī)，六主較無微調(diào)，與12主較有微調(diào)的全步進(jìn)驅(qū)動(dòng)時(shí)的位置精度比較如下圖所示：1/8細(xì)分驅(qū)動(dòng)時(shí)的位置精度比較如下圖所示：三相12主較微調(diào)結(jié)構(gòu)步進(jìn)電機(jī)全步進(jìn)時(shí)，位置精度可以改善±2%以內(nèi)。在細(xì)分時(shí)，微調(diào)結(jié)構(gòu)精度提高近50%。細(xì)分步距角精度比全步距角運(yùn)行的精度大。步距采用8分割時(shí)，步距角為1.2°/8=0.15°，以此作為控制