閃存擋片不良芯片大批量求購

時間：2023-03-20作者：龐博電子有限公司（中國香港）瀏覽：105

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  存儲晶圓不良芯片回收價格不良芯片 不良芯片 不良芯片 中電阻R1和R2的取值必須使當輸入為+VCC時的三極管可靠地飽和，即有βIbIes在.21中假設Vcc=5V，Ies=50mA,β=100,則有Ib0.5mA而Ib=(Vcc-Vbe)/R1-Vbe/R2若取R2=4.7K，則R16.63K,為了使三極管有一定的飽和深度和兼顧三極管電流放大倍數的離散性，一般取R1=3.6K左右即可。若取R1=3