擴散爐

時間：2014-10-22作者：青島福潤德微電子設備有限公司瀏覽：66

青島福潤德微電子設備有限公司專注于鏈式爐排,全自動擴散爐,小型真空爐,加熱爐體,石棉圈,小型馬弗爐等

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• 雙工位臥式真空爐

  雙工位臥式真空爐 ? 青島福潤德微電子設備有限公司 ? 目??錄 ? 一、??????????設 備 特 點 二、??????????設 備 結 構

• 鏈帶式焊接爐

  鏈帶式焊接爐技術方案 鏈帶式焊接爐主要應用于半導體器件，金屬陶瓷，可控硅器件，玻璃封裝器件以及各種厚膜電路等焊接和燒結的連續工作的隧道式結構熱處理爐。 一、主要技術指標 1、設計溫度：≤700℃ 2、工作溫度：300℃~600℃ 3、爐內控溫：±5℃ 4、儀表控制精度：±1℃ 5、設備總長度：約10600mm；進出口臺面各為：800mm。 6、加熱區長度：≤3000mm（6段加熱） 7、冷卻區長

• 太陽能擴散爐

  太陽能電池擴散工藝及其設備 太陽能電池擴散工藝及其設備 ????技術方案是：一種太陽能電池擴散工藝，在太陽能電池擴散工藝中通控制抽氣排風壓力，使抽氣排風壓力這個參數保持穩定，抽氣排風壓力這個參數保持穩定，抽氣排風壓力的穩定導致辭磷在硅片中的注入濃度穩定，使加工后得到的硅片的方塊電池保持穩定，在后道的燒結中可以匹配出高效的太陽能電池。抽氣排風壓力通過在機臺排

• LPCVD設備

  LPCVD設備維修及應用 低壓化學氣相淀積設備使用與維護技術 LPCVD是大規模集成電路(LSI)和**大規模集成電路(VLSI)以及半導體光電器件工藝領域里的主要工藝之一。 PCVD技術可以提高淀積薄膜的質量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優點，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設備使用過程中出現薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內均勻性、片間均勻性不理想等問題，提