led**爐

時間：2014-10-22

作者：青島福潤德微電子設備有限公司

詞條
詞條說明
立式真空爐
空爐（vacuum furnace）是真空環境中進行加熱的設備。在金屬罩殼或石英玻璃罩密封的爐膛中用管道與高真空泵系統聯接。爐膛真空度可達133×(10-2～10-4)h。爐內加熱系統可直接用電阻爐絲(如鎢絲)通電加熱，也可用高頻感應加熱。較高溫度可達3000℃左右。主要用于陶瓷燒成、真空冶煉、電真空零件除氣、退火、金屬件的釬焊，以及陶瓷-金屬封接等。目錄 1概述 2構造 3原理 4功能 5
LPCVD設備
LPCVD設備維修及應用低壓化學氣相淀積設備使用與維護技術 LPCVD是大規模集成電路(LSI)和**大規模集成電路(VLSI)以及半導體光電器件工藝領域里的主要工藝之一。 PCVD技術可以提高淀積薄膜的質量，使膜層具有均勻性好、缺陷密度低、臺階覆蓋性好等優點，成為制備Si 3N4薄膜的主要方法。熱壁LPCVD設備使用過程中出現薄膜的淀積速率、薄膜的均勻性、片內均勻性、片間均勻性不理想等問題，提
太陽能擴散爐
太陽能電池擴散工藝及其設備太陽能電池擴散工藝及其設備 ????技術方案是：一種太陽能電池擴散工藝，在太陽能電池擴散工藝中通控制抽氣排風壓力，使抽氣排風壓力這個參數保持穩定，抽氣排風壓力這個參數保持穩定，抽氣排風壓力的穩定導致辭磷在硅片中的注入濃度穩定，使加工后得到的硅片的方塊電池保持穩定，在后道的燒結中可以匹配出高效的太陽能電池。抽氣排風壓力通過在機臺排
鏈帶式焊接爐
鏈帶式焊接爐技術方案鏈帶式焊接爐主要應用于半導體器件，金屬陶瓷，可控硅器件，玻璃封裝器件以及各種厚膜電路等焊接和燒結的連續工作的隧道式結構熱處理爐。一、主要技術指標 1、設計溫度：≤700℃ 2、工作溫度：300℃~600℃ 3、爐內控溫：±5℃ 4、儀表控制精度：±1℃ 5、設備總長度：約10600mm；進出口臺面各為：800mm。 6、加熱區長度：≤3000mm（6段加熱） 7、冷卻區長