熔斷器的主要作用是什么？

時間：2020-05-12

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性
IGBT工作特性靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏較電流與柵較電壓之間的關系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區，則正反
【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高
【德國西門康可控硅】可控硅結構
可控硅結構大家使用的是單向晶閘管，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的，有三個PN結，對外有三個電極〔圖2(a）〕：**層P型半導體引出的電極叫陽極A，*三層P型半導體引出的電極叫控制較G，*四層N型半導體引出的電極叫陰極K。從晶閘管的電路符號〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向導電的器件，關鍵是多了一個控制較G，這就使它具有與二極管完全不同的工作特性。以硅單晶為基
整流橋模塊
整流橋是橋式整流電路的實物產品，那么實物產品該如何接線到實際電路中呢？一般來講整流橋4個腳位都會有明顯的極性說明，工程設計接線圖的時候已經將安裝方式固定下來了，那么在實際應用過程中只需要，對應線路板的安裝孔就好了。整流橋連接方法主要分兩種，一個是實物產品與電路圖的對應方式。左側為橋式整流電路內部結構圖，B3作為整流正極輸出，C4作為整流負極輸出，A1與A2共同作為交流輸入端。整流橋實物產品圖樣式，