詞條
詞條說明
可控硅特性常用的有阻容移相橋觸發(fā)電路、單結(jié)晶體管觸發(fā)電路、晶體三極管觸發(fā)電路、利用小晶閘管觸發(fā)大晶閘管的觸發(fā)電路,等等。可控硅的主要參數(shù)有:1、 額定通態(tài)平均電流IT 在一定條件下,陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控制較開路未加觸發(fā)信號(hào),陽極正向電壓還未**過導(dǎo)能電壓時(shí),可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,不能**
首先二極管模塊分為:快恢復(fù)二極管模塊,肖特基二極管模塊,整流二i極管模塊也叫整流管模塊。快恢復(fù)二極管是一種能快速從通態(tài)轉(zhuǎn)變到關(guān)態(tài)的特殊晶體器件。導(dǎo)通時(shí)相當(dāng)于開關(guān)閉合(電路接通),截止時(shí)相當(dāng)于開關(guān)打開(電路切斷)。特性:開關(guān)速度快,快恢復(fù)二極管能夠在導(dǎo)通和截止之間快速轉(zhuǎn)化提高了器件的使用頻率和改善了波形。快恢復(fù)二極管模塊分400V快恢復(fù)二極管模塊,600V快恢復(fù)二極管模塊,1200V快恢復(fù)二極管模塊
1 晶閘管(SCR)晶閘管簡(jiǎn)稱晶閘管,又稱可控硅整流元件(SCR),是由三個(gè)PN一種由結(jié)構(gòu)組成的大功率半導(dǎo)體設(shè)備。在性能方面,晶閘管不僅具有單向?qū)щ娦裕冶裙枵髟哂休^有**的可控性。它只有兩種狀態(tài):導(dǎo)電和關(guān)閉。晶閘管有許多優(yōu)點(diǎn),如:小功率控制大功率,功率放大倍數(shù)高達(dá)數(shù)十萬倍;反應(yīng)快,微秒內(nèi)開關(guān);無接觸操作,無火花,無噪音;效率高,成本低。因此,特別是在大功率方面UPS晶閘管廣泛應(yīng)用于整流電
英飛凌IGBT模塊檢測(cè)方法 :測(cè)試方式:用萬用表只能測(cè)量,但不全面,若IGBT損壞一般可以測(cè)量出來,但是,若IGBT是好的,它無法肯定是好的。IGBT損壞標(biāo)準(zhǔn):GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù),即為損壞。(GE表示G接正表筆,E接負(fù)表筆;其它類同)IGBT的EC之間接有二極管,所以為導(dǎo)通狀態(tài),電壓為0.34V左右。若想完整測(cè)試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1
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