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詞條說明
可控硅模塊是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件,共有三個(gè)PN結(jié),分析原理時(shí),可以把它看作由一個(gè)PNP管和一個(gè)NPN管所組成,當(dāng)陽極A加上正向電壓時(shí),BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)。此時(shí),如果從控制較G輸入一個(gè)正向觸發(fā)信號(hào),BG2便有基流ib2流過,經(jīng)BG2放大,其集電極電流ic2=β2ib2。因?yàn)锽G2的集電極直接與BG1的基較相連,所以ib1=ic2。此時(shí),電流ic2再經(jīng)BG1放大,于是BG1的集
熔斷器又稱為保險(xiǎn)絲,是用于保護(hù)電路的安全設(shè)備。它們安裝于各種供電設(shè)和負(fù)載之間,電流過高時(shí)便會(huì)觸發(fā)熔斷器工作(俗稱“燒斷”),把負(fù)載從電源中斷開,減低過流造成設(shè)備損壞甚至引起火災(zāi)的風(fēng)險(xiǎn)。燒斷了的保險(xiǎn)絲必須棄置并替換,這是它們和功能相近的斷路器的主要分別──斷路器是可復(fù)位的。不過保險(xiǎn)絲價(jià)格便宜,而且容易替換。新的保險(xiǎn)絲應(yīng)該與舊的有相同的額定電壓和載流。保險(xiǎn)絲提供的安全機(jī)制使得它們成為各種應(yīng)用的的**助
IGBT工作特性靜態(tài)特性IGBT 的靜態(tài)特性主要有伏安特性、轉(zhuǎn)移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時(shí),漏較電流與柵較電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制,Ugs 越高, Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似.也可分為飽和區(qū)1 、放大區(qū)2 和擊穿特性3 部分。在截止?fàn)顟B(tài)下的IGBT ,正向電壓由J2 結(jié)承擔(dān),反向電壓由J1結(jié)承擔(dān)。如果無N+緩沖區(qū),則正反
二極管的主要原理就是利用PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕赑N結(jié)上加上引線和封裝就成了一個(gè)二極管。晶體二極管為一個(gè)由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體形成的PN結(jié),在其界面處兩側(cè)形成空間電荷層,并建有自建電場(chǎng)。當(dāng)不存在外加電壓時(shí),由于PN結(jié)兩邊載流子濃度差引起的擴(kuò)散電流和自建電場(chǎng)引起的漂移電流相等而處于電平衡狀態(tài)。當(dāng)外界有正向電壓偏置時(shí),外界電場(chǎng)和自建電場(chǎng)的互相抑消作用使載流子的擴(kuò)散電流增加引起了正向電流。當(dāng)外界有反向電
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