SKiiP智能Mini迷你IGBT模塊設計特點？

時間：2020-06-23

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高
熔斷器要怎么選？
1.熔斷器類型的選用根據使用環境、負載性質和短路電流的大小選用適當類型的熔斷器。例如，對于容量較小的照明電路，可選用RT系列圓筒帽型熔斷器；相對于短路電流相當大或有易燃氣體的地方，應選用RT系列有填料密封管式熔斷器；在機床控制電路中，多選用RL系列螺旋式熔斷器；用于半導體功率元件及晶閘管的保護時，應選用RS或RLS系列快速熔斷器。2.熔斷器額定電壓和額定電流的選用熔斷器的額定電壓必須不小于電路的額
晶閘管的工作原理與應用
1 晶閘管(SCR)晶閘管簡稱晶閘管，又稱可控硅整流元件(SCR),是由三個PN一種由結構組成的大功率半導體設備。在性能方面，晶閘管不僅具有單向導電性，而且比硅整流元件具有較有**的可控性。它只有兩種狀態：導電和關閉。晶閘管有許多優點，如：小功率控制大功率，功率放大倍數高達數十萬倍；反應快，微秒內開關；無接觸操作，無火花，無噪音；效率高，成本低。因此，特別是在大功率方面UPS晶閘管廣泛應用于整流電
二極管和二極管模塊有什么區別
二極管和二極管模塊有什么區別二極管算是半導體家族中的元老了，早在**次世界大戰末期就已出現晶體檢波器，從1930年開始，半導體整流器開始投入市場。二極管模塊分為：快恢復二極管模塊，肖特基二極管模塊，整流二極管模塊、光伏防反二極管模塊等。而二極管和二極管模塊主要區別是功率、速度和封裝不同。二級管一般指電流、電壓、功率比較小的單管，一般電流在幾個安培以內，電壓較高1000多V，但是反向恢復素很快，只有