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時(shí)間：2022-09-27作者：上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司瀏覽：61

上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司專(zhuān)注于IGBT模塊,二極管,熔斷器,可控硅,晶閘管等

• 詞條

  詞條說(shuō)明

• IGBT模塊該怎樣去選擇呢？

  IGBT模塊的電壓規(guī)格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關(guān)。使用中當(dāng)IGBT模塊集電極電流增大時(shí)，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大。同時(shí)，開(kāi)關(guān)損耗增大，使原件發(fā)熱加劇，因此，選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流。特別是用作高頻開(kāi)關(guān)時(shí)，由于開(kāi)關(guān)損耗增大，發(fā)熱加劇，選用時(shí)應(yīng)該降等使用。

• 熔斷器的特點(diǎn)

  熔體額定電流不等于熔斷器額定電流，熔體額定電流按被保護(hù)設(shè)備的負(fù)荷電流選擇，熔斷器額定電流應(yīng)大于熔體額定電流，與主電器配合確定。熔斷器主要由熔體、外殼和支座 3部分組成，其中熔體是控制熔斷特性的關(guān)鍵元件。熔體的材料、尺寸和形狀決定了熔斷特性。熔體材料分為低熔點(diǎn)和高熔點(diǎn)兩類(lèi)。低熔點(diǎn)材料如鉛和鉛合金，其熔點(diǎn)低容易熔斷，由于其電阻率較大，故制成熔體的截面尺寸較大，熔斷時(shí)產(chǎn)生的金屬蒸氣較多，只適用于低分?jǐn)嗄?/p>

• 英飛凌DD540N26K 全新原裝單向可控硅二極管

  上海寅涵智能科技發(fā)展有限公司本著“品質(zhì)保證，客戶至上”的企業(yè)經(jīng)營(yíng)理念，“誠(chéng)信經(jīng)營(yíng)、信譽(yù)為本”的經(jīng)營(yíng)宗旨。堅(jiān)信客戶永遠(yuǎn)是公司發(fā)展的源泉，堅(jiān)持以市場(chǎng)為導(dǎo)向，以完善的售后服務(wù)為承諾，我們積極參與推廣以及行業(yè)交流活動(dòng)，公司在長(zhǎng)期的發(fā)展過(guò)程中以過(guò)硬的產(chǎn)品質(zhì)量的優(yōu)勢(shì)和國(guó)內(nèi)許多大型的公司都建立了長(zhǎng)期良好的合作伙伴關(guān)系，我們也熱誠(chéng)歡迎國(guó)內(nèi)外客戶來(lái)我司考察，參觀及技術(shù)交流；廣納博交的企業(yè)精神，寅涵愿與社會(huì)各界朋友精

• IGBT模塊是什么？

  IG是Insulated Gate Bipolar Transistor（絕緣柵雙較型晶體管）的縮寫(xiě)，IG是由MOSFET和雙較型晶體管復(fù)合而成的一種器件，其輸入較為MOSFET，輸出較為PNP晶體管，它融和了這兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，既具有MOSFET器件驅(qū)動(dòng)功率小和開(kāi)關(guān)速度快的優(yōu)點(diǎn)，又具有雙較型器件飽和壓降低而容量大的優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET與功率晶體管之間，可正常工作于幾十kHz頻率范圍內(nèi)，