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詞條說明
失效分析(FA)是一門發(fā)展中的新興學(xué)科,近年開始從**向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象,通過分析和驗證,模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象,找出失效的原因,挖掘出失效的機理的活動。在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)、改進,產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強的實際意義。其方法分為有損分析,無損分析,物理分析,化學(xué)分析等 北軟檢測失效分析 失效分析的意義:分析機械零器件失效原因,為事故責(zé)任認(rèn)定、偵破刑事犯罪案件、裁定
2019年**半導(dǎo)體市場陷入萎縮,而中國可圈可點 經(jīng)常會有人問半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是什么樣的一種產(chǎn)業(yè)?魏少軍教授用奧地利經(jīng)濟學(xué)家約瑟夫·熊彼得的一句話來引出,那就是“創(chuàng)新不是一個技術(shù)概念,而是一個經(jīng)濟概念”。半導(dǎo)體或者芯片產(chǎn)業(yè),恰恰是一個創(chuàng)新驅(qū)動的產(chǎn)業(yè),它的發(fā)明較終變成了錢,它是靠創(chuàng)新的方式來發(fā)展。所以它是個創(chuàng)新驅(qū)動的產(chǎn)業(yè)。 了解了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的形式之后,再來看下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展情況。以史為鑒,從1987年到
聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍:1 pA - 400 nA; 2、電子束電壓:200eV-30 keV,具有減速模式 3、電子束分辨率:0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒; 5、離子束加速電壓500V-30kV(分辨率:3.0 nm); 6、離
芯片常用分析手段: 1、X-Ray 無損偵測,可用于檢測 IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性 PCB制程中可能存在的缺陷如對齊不良或橋接 開路、短路或不正常連接的缺陷 封裝中的錫球完整性 2、SAT超聲波探傷儀/掃描超聲波顯微鏡 可對IC封裝內(nèi)部結(jié)構(gòu)進行非破壞性檢測, 有效檢出因水氣或熱能所造成的各種破壞如﹕ 晶元面脫層 錫球、晶元或填膠中的裂縫 封裝材料內(nèi)部的氣孔 各種孔洞
公司名: 儀準(zhǔn)科技(北京)有限公司
聯(lián)系人: 趙
電 話: 01082825511-869
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