可控硅的作用介紹及檢測方法

時間：2020-06-27

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條
詞條說明
二極管模塊
雪崩擊穿另一種擊穿為雪崩擊穿。當反向電壓增加到較大數值時，外加電場使電子漂移速度加快，從而與共價鍵中的價電子相碰撞，把價電子撞出共價鍵，產生新的電子-空穴對。新產生的電子-空穴被電場加速后又撞出其它價電子，載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結性損壞。標準二極管模塊特點：*JEDEC TO-240 AA **標準封裝*直接銅敷
常用的熔斷器有哪些分類？
（1）插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端，作為配電支線或電氣設備的短路保護用。?（2）螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器，一旦熔體熔斷，指示器馬上彈出，可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到，它常用于機床電氣控制設備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大，可用于電壓等級500V及其以下、電流等級200A以下的電路中，作短路保護。?（3）封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器
晶閘管的工作原理與應用
1 晶閘管(SCR)晶閘管簡稱晶閘管，又稱可控硅整流元件(SCR),是由三個PN一種由結構組成的大功率半導體設備。在性能方面，晶閘管不僅具有單向導電性，而且比硅整流元件具有較有**的可控性。它只有兩種狀態：導電和關閉。晶閘管有許多優點，如：小功率控制大功率，功率放大倍數高達數十萬倍；反應快，微秒內開關；無接觸操作，無火花，無噪音；效率高，成本低。因此，特別是在大功率方面UPS晶閘管廣泛應用于整流電
高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測試？
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊，如圖4所示。電壓等級1200V，電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結溫的特點，可以達到175℃。為了充分發揮其高工作結溫特點，新一代PrimePACK?2封裝結合較新的.XT技術和新的設計方法，在保持上一代封裝尺寸的基礎上使得模塊電流輸出能力提升了33％。因此本實驗選用此高功率密度IGBT模塊，分別使用兩種驅動對