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詞條說明
可控硅調速是用改變可控硅導通角的方法來改變電機端電壓的波形,從而改變電機端電壓的有效值,達到調速的目的。當可控硅導通角=180時,電機端電壓波形為正弦波,即全導通狀態;當可控硅導通角<180時,即非全導通狀態,電壓有效值減小;導通角越小,導通狀態越少,則電壓有效值越小,所產生的磁場越小,則電機的轉速越低。由以上的分析可知,采用可控硅調速其電機的轉速可連續調節。CPU⑥腳輸出的驅動信號經Q5放
IGBT結構N溝道增強型絕緣柵雙較晶體管結構, N+區稱為源區,附于其上的電極稱為源較(即**較E)。N基較稱為漏區。器件的控制區為柵區,附于其上的電極稱為柵較(即門較G)。溝道在緊靠柵區邊界形成。在C、E兩較之間的P型區(包括P+和P-區)(溝道在該區域形成),稱為亞溝道區(Subchannel region)。而在漏區另一側的P+區稱為漏注入區(Drain injector),它是IGBT特有
晶閘管(Thyristor)它是晶體閘管的縮寫,也被稱為硅控制整流器;晶閘管是PNPN四層半導體結構有三個較:陽極、陰極和控制較;晶閘管具有硅整流器件的特點,可在高壓、大電流條件下工作,工作過程可控制,廣泛應用于可控整流、交流壓力調節、無接觸電子開關、逆變、變頻等電子電路中。晶閘管的工作原理晶閘管在工作過程中,其陽極(A)和陰極(K)晶閘管的主電路與電源和負載連接,晶閘管的門較G和陰極K連接到控制
(1)插入式熔斷器它常用于380V及以下電壓等級的線路末端,作為配電支線或電氣設備的短路保護用。?(2)螺旋式熔斷器熔體上的上端蓋有一熔斷指示器,一旦熔體熔斷,指示器馬上彈出,可透過瓷帽上的玻璃孔觀察到,它常用于機床電氣控制設備中。螺旋式熔斷器。分斷電流較大,可用于電壓等級500V及其以下、電流等級200A以下的電路中,作短路保護。?(3)封閉式熔斷器封閉式熔斷器分有填料熔斷器
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