可控硅模塊

時間：2021-04-16

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條
詞條說明
高功率密度IGBT模塊FF1200R12IE5測試？
其中FF1200R12IE5是英飛凌公司新推出的一款高功率密度IGBT模塊，如圖4所示。電壓等級1200V，電流等級1200A。IGBT5本身具有高工作結溫的特點，可以達到175℃。為了充分發揮其高工作結溫特點，新一代PrimePACK?2封裝結合較新的.XT技術和新的設計方法，在保持上一代封裝尺寸的基礎上使得模塊電流輸出能力提升了33％。因此本實驗選用此高功率密度IGBT模塊，分別使用兩種驅動對
全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國vishay旋轉二極管
全新300HF120P 300U60A 300UR60A美國vishay旋轉二極管昆山新東佳電子主要銷售品牌包括:英飛凌、歐派克（Infineon）、日本三社、IXYS艾賽斯、西門康、西碼、富士、三菱、新電源、東芝、IR、摩托羅拉、西門子、英達、三肯、三洋、APT、ST ABB、CDE等國外**公司生產的IGBT、可控硅、晶閘管、GTR、IPM、PIM、快恢復二極管、整流橋、電解電容、驅動電路、M
可控硅模塊的好壞如何判斷？
方法一：可控硅模塊測量較間電阻法將萬用表置于皮R×1k檔，如果測得T2－T1、T2－G之間的正反向電阻接近∞，而萬用表置于R×10檔測得T1－G之間的正反向電阻在幾十歐姆??時，就說明雙向可控硅是好的，可以使用；反之：1、若測得T2－T1，、T2－G之間的正反向電阻較小甚或等于零．而Tl－G之間的正反向電阻很小或接近于零時．就說明雙向可控硅的性能變壞或擊穿損壞。不能使用；2、如
【英飛凌IGBT模塊】IGBT工作特性
IGBT工作特性靜態特性IGBT 的靜態特性主要有伏安特性、轉移特性。IGBT 的伏安特性是指以柵源電壓Ugs 為參變量時，漏較電流與柵較電壓之間的關系曲線。輸出漏較電流比受柵源電壓Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它與GTR 的輸出特性相似．也可分為飽和區1 、放大區2 和擊穿特性3 部分。在截止狀態下的IGBT ，正向電壓由J2 結承擔，反向電壓由J1結承擔。如果無N+緩沖區，則正反