SLKOR 薩科微 *三代半導(dǎo)體器件碳化硅器件 SiC MOSFET,SiC SBD

時間：2022-12-05

作者：深圳市薩科微半導(dǎo)體有限公司

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SLKOR 薩科微 SL4275-G TO-263-5 替代英飛凌 TLE4275G
LDO 線性穩(wěn)壓器SLKOR 薩科微 SL4275-G TO-263-5 替代英飛凌 TLE4275G、羅姆 BD4275FP2-CE2、TI TLE4275QKTTRQ1SLKOR 薩科微 SL4275 TO-252-5 可替代安森美NCV4275CDT50RKG、英飛凌TLE4275D、TI TLE4275QKVURQ1薩科微可替代TI UCC27525D , ON NCV8402 , TI
SLKOR 薩科微供應(yīng)無源晶振/石英晶體諧振器和光耦等產(chǎn)品
金航標(biāo)kinghelm薩科微slkor總經(jīng)理宋仕強先生說，?中國的工業(yè)門類齊全可直接形成產(chǎn)業(yè)鏈閉環(huán)，已經(jīng)在中低端制造業(yè)領(lǐng)域深度扎根，形成緊固*墻。從宏觀經(jīng)濟的數(shù)據(jù)上看，“中國制造”生產(chǎn)了**數(shù)量較多的終端電子產(chǎn)品，智能手機、電腦、家電產(chǎn)量都是****。典型的如智能手機，**前5大手機廠商，國產(chǎn)手機占了3席，若非美國要求對華為的芯片斷供，華為手機**會追趕三星，坐上**銷量**的位置。龐
SLKOR 薩科微 *三代半導(dǎo)體器件碳化硅器件 SiC MOSFET,SiC SBD
金航標(biāo)kinghelm薩科微slkor總經(jīng)理宋仕強為大家介紹說，碳化硅SiC（納米碳化硅）材料具有高的禁帶寬度，高的臨界擊穿電場和熱導(dǎo)率，小的介電常數(shù)和較高的電子飽和遷移率，以及抗輻射能力強，機械性能好等特性，成為制作高頻、大功率、低能耗、耐高溫和抗輻射器件電子和光電子器件的理想材料。薩科微slkor的技術(shù)骨干來自清華大學(xué)和韓國的延世大學(xué)，一直在從事碳化硅mos管的國產(chǎn)化的工作，是較早掌握相關(guān)技術(shù)
SLKOR 薩科微供應(yīng)2016，2520，3225，5032，HC-49等封裝晶振
薩科微slkor半導(dǎo)體總經(jīng)理宋仕強先生在分析行業(yè)是說，薩科微所在的功率半導(dǎo)體行業(yè)在電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展中占據(jù)重要地位，主要產(chǎn)品用于電力設(shè)備的電能轉(zhuǎn)換和電路控制，是進行電能處理的**器件。功率半導(dǎo)體細分產(chǎn)品主要有MOSFET、IGBT、BJT、橋堆等，主要材料是Si和SiC等。近年來，隨著**對節(jié)能減排的需求愈發(fā)迫切，功率半導(dǎo)體的應(yīng)用領(lǐng)域已從傳統(tǒng)的工業(yè)控制和?4C（通信、計算機、消費電子、汽車）領(lǐng)