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?氮化鎵是一種半導體材料,近年來在快充領域得到了廣泛的應用。與傳統的硅基半導體材料相比,氮化鎵具有高的電子遷移率和低的電阻,這使得它能夠承受高的電流密度和電壓,從而實現快的充電速度。 現在,我們來看看你提到的兩種快充技術:1. 100w氮化鎵快充: 這種快充技術采用了氮化鎵材料,能夠提供高達100瓦的充電功率。這意味著它能夠快速地為設備充電,縮短充電時間。相比傳統的快充技術,100w氮化
OC5138是一款具有*特設計特點的芯片,它集成了散熱片內置接SW腳和內置90VMOS等重要功能。散熱片內置接SW腳的設計可以有效提高芯片的散熱性能,確保在高負載工作時能夠穩定、高效地運行。而內置90VMOS則使得OC5138具備出色的電壓承受能力和電流驅動能力,適用于各種高功率應用場景。 OC5138作為一款開關降壓型大功率LED恒流驅動芯片,在照明、顯示等領域有著廣泛的應用。它支持寬范圍的輸入
氮化鎵(GaN)是一種新型半導體材料,具有出色的導電和導熱性能,因此在高功率電子器件領域有著廣泛的應用。關于120W氮化鎵和DC/DC氮化鎵,這些都是氮化鎵技術在不同領域的應用實例。 120W氮化鎵通常指的是一種高功率氮化鎵充電器或電源適配器,其具有高功率密度、高效率、快速充電等特點。這類充電器可以滿足現代電子設備對高效、快速充電的需求,尤其在移動設備、筆記本電腦等領域得到廣泛應用。 DC/DC氮
OC5021B芯片1.基本信息OC5021B通常是作為一款高性能LED恒流驅動芯片出現的。封裝:采用SOT236封裝,這種封裝方式使得芯片在集成使用時較為便捷。2.性能特點高效率與高精度:OC5021B芯片采用固定關斷時間的峰值電流控制方式,關斷時間可調,工作頻率可根據需求設置。同時,其高效率和高精度為照明設備提供了穩定、持久的動力。過溫保護功能:具備過溫保護功能,確保芯片在高溫環境下依然穩定運行
公司名: 久宇盛電子(深圳)有限公司
聯系人: 周敏
電 話:
手 機: 13318386410
微 信: 13318386410
地 址: 廣東佛山南海區深圳市龍崗區南灣街道寶丹路18號彩鳳工業園A棟5樓之一
郵 編:
網 址: jys888.b2b168.com
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