HVA真空閥門成功應用于粒子系統(tǒng)

時間：2024-01-11

作者：伯東企業(yè)（上海）有限公司

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KRI 考夫曼射頻離子源濺射沉積立方氮化硼薄膜
立方氮化硼（cBN）由于具有高的硬度/ 好的化學惰性/ 較好的熱穩(wěn)定性/ 高的熱導率/ 在寬波長范圍內(nèi)(約從 200nm 開始) 有很好的透光性/ 可摻雜為 n 型和 p 型半導體等特點, 在切削工具/ 材料/ 光學元件表面涂層/ 高溫/ 高頻/ 大功率/ 抗輻射電子器件/ 電路熱沉材料和絕緣涂覆層等方面具有很大的應用潛力.?在對立方氮化硼 (cBN) 薄膜研究中, 西北某金屬研究所采用
氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現(xiàn)金剛石膜制備
氦質(zhì)譜檢漏儀 MPCVD 檢漏, 實現(xiàn)金剛石膜制備微波等離子體化學氣相沉積法 Microwave Plasma CVD (MPCVD) 是目前**上被用于金剛石膜制備的公認方法. MPCVD 裝置將微波發(fā)生器產(chǎn)生的微波經(jīng)波導傳輸系統(tǒng)進入反應器, 并通入甲烷與氫氣的混合氣體, 在微波的激發(fā)下, 在反應室內(nèi)產(chǎn)生輝光放電, 使反應氣體的分子離化, 產(chǎn)生等離子體, 在基板臺上沉積得到金剛石膜. 上海伯東某
美國 KRi 考夫曼離子源 KDC 40 熱蒸鍍機應用
上海伯東某客戶在熱蒸發(fā)鍍膜機中配置美國?KRi 考夫曼離子源?KDC 40, 進行鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD 工藝, 通過同時的或連續(xù)的離子轟擊表面使原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, 提高沉積薄膜附著力, 純度, 應力, 工藝效率等.離子源鍍膜前基片預清潔 Pre-clean 和輔助鍍膜 IBAD考夫曼離子源 KDC 40 到基片距離控制在 3
KRI 離子源用于UVC人機共存紫外濾光片鍍膜
? ?? ?紫外濾光片是一種光學元件, 通過使用分散在玻璃材料表面的光學薄膜控制入射光通過膜層后不同波長光的透反比. 222nm是紫外不可避免的一個波段, 因為其生物體透過率低, 被譽為對人體的紫外線.222nm遠紫外產(chǎn)品一定程度上解決了傳統(tǒng)紫外線不能直接照射人體的痛點問題, 兼顧了功能性和性, 實現(xiàn)了人機友好共存, 有效減少和滅殺身體表面多達99.9%的細