*十七屆全國MOCVD學術會議與您太原相見！

時間：2022-08-05

作者：鵬城半導體技術（深圳）有限公司

詞條
詞條說明
化學氣相沉積設備（CVD）-小型管式LPCVD設備
LPECVD是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科學研究、實踐教學、小型器件制造。小型管式LPCVD設備設備結構及特點1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片。基片放置方式：配置三種基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角。基片形狀類型：不規則形狀的散片、φ2～4
鵬城半導體亮相第八屆國際第三代半導體論壇
一年一度行業盛會，*八屆***三代半導體論壇（IFWS ）&*十九屆中國**半導體照明論壇（SSLCHINA）于2023年2月7日-10日（7日報到）在蘇州金雞湖凱賓斯基大酒店召開。在這場被視為“***三代半導體行業*”的盛會上，由2014年諾貝爾物理獎獲得者、日本工程院院士、美國工程院院士、中國工程院外籍院士、日本名古屋大學未來材料與系統研究所教授天野浩，美國工程院院士、美國國家發明
真空鍍膜行業發展趨勢，低耗能無污染先進技術
1、真空鍍膜行業技術水平及特點多功能磁控濺射儀（高真空磁控濺射鍍膜機）-鵬城半導體真空鍍膜是表面處理技術的一項分支，是指為了減少雜質的干擾，在高度真空環境下，通過物理或化學手段，將金屬、非金屬或化合物材料（膜材）轉換成氣態或等離子態，并沉積于玻璃、金屬、陶瓷、塑料或**材料等固體材質（簡稱基材、基板或基片）表面形成薄膜的過程。利用真空鍍膜技術鍍制薄膜后，可使材料表面獲得新的復合性能并實現新型的工程
等離子體化學氣相沉積設備有哪些特點《臺風資訊》
等離子體化學氣相沉積設備有兩種:其一是PCVD(等離子體一般化學氣相沉積)，另一個是PECVD(等離子體增強化學氣相沉積)，它們都是在20世紀70年代發展起來的鍍膜工藝。其特點是:1、在不同基片上制備各種金屬膜、**物聚合膜、非晶態無機物膜;2、等離子體清洗基材，使膜層的附著力增加;3、可制備厚膜，內應力小、致密性好、針孔小、膜層成分均勻、不易產生微裂紋;4、低溫成膜，溫度對基材沒什么影響，避免了