半導體晶片的研磨

時間：2020-11-12

作者：淄博市淄川大眾磨料廠

詞條
詞條說明
半導體材料的研磨拋光
? ? ?磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導體晶片必要方式，然而磨削和研磨會導致單晶硅晶片的表面完整性變差。因此拋光和平面化對生產(chǎn)微電子原件來說是十分重要的。1簡介半導體基片的結(jié)構(gòu)厚度已經(jīng)被降低到0.35微米，但拋光和平展化任然是制備微電子原件的必要準備。因此，拋光半導體基底材料的任務將在集成電路的制造過程中的角度來限定。本次講座的主要重點放在工藝技術，原材料和結(jié)構(gòu)性晶圓
平板狀氧化鋁研磨微粉的制備工藝
? ? ? 平板狀氧化鋁的制備可以通過很多方法，主要有熔鹽法、水熱(醇熱)法、涂膜法、機械法以及液相間接制備法等。 ?1、熔鹽法?將所需組分的反應物與2種鹽按照一定比例混合，然后在高于鹽的熔點的溫度下進行煅燒，由于氧化物重新排布并迅速擴散到液態(tài)鹽中進行反應而生成產(chǎn)物，冷卻后經(jīng)去離子水清洗除去其中的鹽分得到純凈產(chǎn)物的一種粉體合成方法。 ?
平板狀氧化鋁研磨微粉
平板狀氧化鋁研磨微粉氧化鋁有多種不同的類型，常規(guī)的氧化鋁與其他金屬氧化物一樣，本身的硬度大，熔點高，機械強度好，且耐腐蝕抗氧化。平板狀氧化鋁還因其獨特的片狀結(jié)構(gòu)和晶體形狀，從而具備了微米粉體和納米材料的雙重特性。它屬于α-Al2O3，具有明顯的鱗狀結(jié)構(gòu)特征和較大的徑厚比。目前，平板狀氧化鋁晶粒的徑向尺度一般為5-50 μm，厚度一般在100-500 nm之間，晶型發(fā)育良好的微粒還表現(xiàn)出規(guī)則的六角
MCA平板狀氧化鋁拋光研磨微粉性能指標
粒度分布表單位微米（μm）產(chǎn)品名稱平均粒度最大粒徑（dv-0值）累積高度3%點的粒徑（dv-3值）累積高50%點的粒徑（dv-50值）累積高94%點粒徑（dv-94值）?MCA4040<77.639-44.627.7-31.718-20MCA3535<64.235.4-39.823.8-27.215-17MCA3030<50.428.1-32.319.2-22.313.