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詞條說明
電力電子變頻器是將交流電源轉(zhuǎn)換為可調(diào)頻率和可調(diào)幅度的交流電源的裝置。使用富士IGBT作為電力電子變頻器的主要功率開關(guān)器件具有以下作用:高效能轉(zhuǎn)換:富士IGBT具有低導(dǎo)通壓降和低開關(guān)損耗的特性,能夠?qū)崿F(xiàn)高效率的轉(zhuǎn)換,從而提高電力電子變頻器的效率。這有助于減少能源消耗和發(fā)熱,并降低系統(tǒng)運(yùn)行成本。高頻操作:電力電子變頻器通常需要在高頻范圍進(jìn)行操作,而富士IGBT具有快速的開關(guān)速度和較高的工作頻率,可以滿
發(fā)展趨勢(shì)1、低功率IGBTIGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域,為滿足家電行業(yè)的發(fā)展需求,摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品,實(shí)用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機(jī)、電磁灶、電子整流器、照相機(jī)等產(chǎn)品的應(yīng)用。2、U-IGBTU(溝槽結(jié)構(gòu))--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后,可進(jìn)一步縮小元胞尺寸,減少溝道電阻,進(jìn)步電流密度,制造相同
IGBT是將強(qiáng)電流、高壓應(yīng)用和快速終端設(shè)垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。由于實(shí)現(xiàn)一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道,而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數(shù)值高的特征,IGBT消除了現(xiàn)有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性,但是在高電平時(shí),功率導(dǎo)通損耗仍然要比IGBT 技術(shù)高出很多。當(dāng)集電極被施加一
西門子觸摸屏具有以下功能特點(diǎn):直觀易用:觸摸屏界面設(shè)計(jì)簡(jiǎn)潔直觀,操作方式類似于智能手機(jī)或平板電腦等觸控設(shè)備,使用起來非常便捷。通過直觸屏幕上的圖標(biāo)、按鈕、輸入框等進(jìn)行操作,操作人員可以直觀地控制設(shè)備和系統(tǒng)。多樣化顯示:觸摸屏可以以圖表、曲線、報(bào)警等形式以可視化方式顯示數(shù)據(jù)。不僅能夠?qū)崟r(shí)顯示設(shè)備的運(yùn)行狀態(tài)、參數(shù)數(shù)值,還能夠以動(dòng)態(tài)、直觀的方式顯示生產(chǎn)數(shù)據(jù)、報(bào)警信息,并支持自定義顯示界面。實(shí)時(shí)監(jiān)控:通過
公司名: 深圳市寶安區(qū)誠芯源電子商行
聯(lián)系人: 劉經(jīng)理
電 話: 13128707396
手 機(jī): +86 13128707396
微 信: +86 13128707396
地 址: 廣東深圳福田區(qū)園嶺街道園東社區(qū)園嶺八街園嶺新村92棟103
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網(wǎng) 址: hchsw.cn.b2b168.com
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