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IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道,而這個通道卻具有很高的電阻率,因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征,IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性,但是在高電平時,功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高出很多。當集電極被施加一
富士IGBT作為一種高功率半導體器件,廣泛應用于以下領域和場合:工業自動化:富士IGBT常用于工業電機驅動、電力電子變頻器、電力控制和調節系統等,用于實現精確的速度和位置控制,提高工業生產效率和能源利用率。交通運輸:富士IGBT在交通運輸領域的應用包括電動汽車和混合動力汽車的功率逆變器、牽引系統、電力傳動裝置和列車控制系統等,支持高效、環保的交通方式。可再生能源:富士IGBT在太陽能光伏發電系統和
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應管) 組成的復合全控型-電壓驅動式-功率半導體器件,其具有自關斷的特征。簡單講,是一個非通即斷的開關,IGBT沒有放大電壓的功能,導通時可以看做導線,斷開時當做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優點,如驅動功率小和飽和壓降低等。IGBT模塊是由IGBT與FWD(續流二極管芯片)通過特定的
1、電磁閥類;2、磁性開關類;3、節流閥類;4、浮動接頭類;5、緩沖器類;6、氣缸類;7、真空發生器類;8、壓力開關類;9、調壓閥類;10、手動閥類;11、其它類。
公司名: 深圳市寶安區誠芯源電子商行
聯系人: 劉經理
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