詞條
詞條說(shuō)明
儀準(zhǔn)科技*生產(chǎn)的微光顯微鏡,失效分析設(shè)備,失效分析實(shí)驗(yàn)室建設(shè) 就半導(dǎo)體元器件故障失效分析而言,微光顯微鏡EMMI是一種相當(dāng)有用且效率較高的分析工具。主要偵測(cè)IC內(nèi)部所放出光子。在IC元件中,EHP(Electron Hole Pairs) Recombination會(huì)放出光子(Photon)。 舉例說(shuō)明:在P-N 結(jié)加偏壓,此時(shí)N阱的電子很*擴(kuò)散到P阱,而P的空穴也*擴(kuò)散至N然後與P端的
一、X-ray是什么? X-ray是利用陰極射線管產(chǎn)生高能量電子與金屬靶撞擊,在撞擊過(guò)程中,因電子突然減速,其損失的動(dòng)能會(huì)以X-Ray形式放出。而對(duì)于樣品無(wú)法以外觀方式觀測(cè)的位置,利用X-Ray穿透不同密度物質(zhì)后其光強(qiáng)度的變化,產(chǎn)生的對(duì)比效果可形成影像,即可顯示出待測(cè)物的內(nèi)部結(jié)構(gòu),進(jìn)而可在不破壞待測(cè)物的情況下觀察待測(cè)物內(nèi)部有問(wèn)題的區(qū)域。 二、X-ray能做什么事? 高精度X-ray是無(wú)損檢測(cè)重要方
《晶柱切片后處理》 硅晶柱長(zhǎng)成后,整個(gè)晶圓的制作才到了一半,接下必須將晶柱做裁切與檢測(cè),裁切掉頭尾的晶棒將會(huì)進(jìn)行外徑研磨、切片等一連串的處理,最后才能成為一片片價(jià)值非凡的晶圓,以下將對(duì)晶柱的后處理制程做介紹。 切片(Slicing) 長(zhǎng)久以來(lái)經(jīng)援切片都是采用內(nèi)徑鋸,其鋸片是一環(huán)狀薄葉片,內(nèi)徑邊緣鑲有鉆石顆粒,晶棒在切片前預(yù)先黏貼一石墨板,不僅有利于切片的夾持,更可以避免在最后切斷階段時(shí)鋸片離開(kāi)晶棒
芯片開(kāi)封decap簡(jiǎn)介及芯片開(kāi)封在失效分析中應(yīng)用案例分析
半導(dǎo)體元器件失效分析性測(cè)試?2024年07月08日 15:32?北京DECAP:即開(kāi)封,業(yè)內(nèi)也稱(chēng)開(kāi)蓋,開(kāi)帽。是指將完整封裝的IC做局部腐蝕,使得IC可以暴露出來(lái) ,同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損,為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備,方便觀察或做其他測(cè)試。通過(guò)芯片開(kāi)封,我們可以為直觀的觀察到芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu),從而結(jié)合OM,X-RAY等設(shè)備分析判斷樣品的異常點(diǎn)位和失效的可能原因。開(kāi)封方法及注意
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備

激光開(kāi)封機(jī)laser decap開(kāi)蓋開(kāi)封開(kāi)帽ic開(kāi)封去封裝

開(kāi)短路測(cè)試儀IV自動(dòng)取現(xiàn)量測(cè)儀 芯片管腳測(cè)試 iv曲線

聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析

超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析

電鏡SEM電子顯微鏡表面分析金屬成分分析失效分析設(shè)備高倍率顯微鏡

EMMI微光顯微鏡紅外顯微鏡漏電斷路定位芯片異常分析光發(fā)射顯微鏡

IV曲線測(cè)試開(kāi)短路測(cè)試管腳電性測(cè)試IV自動(dòng)曲線量測(cè)儀
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