WESTCODE相控可控硅平板形

時間：2020-06-30

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
可控硅的作用介紹及檢測方法
1. 可控硅的特性。可控硅分單向可控硅、雙向可控硅。單向可控硅有陽極A、陰極K、控制較G三個引出腳。雙向可控硅有陽極A1（T1），*二陽極A2（T2）、控制較G三個引出腳。只有當單向可控硅陽極A與陰極K之間加有正向電壓，同時控制較G與陰極間加上所需的正向觸發電壓時，方可被觸發導通。此時A、K間呈低阻導通狀態，陽極A與陰極K間壓降約1V。單向可控硅導通后，控制器G即使失去觸發電壓，只要陽極A和陰
德國西門康可控硅你了解多少
德國西門康可控硅你了解多少可控硅又稱晶閘管。自從20世紀50年代問世以來已經發展成了電子元器件中**的一員，而目前交流調壓多采用雙向可控硅，它具有體積小、重量輕、效率高和使用方便等優點，對提高生產效率和降低成本等都有顯著效果，但它也具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負載時會干擾電網和自干擾等缺點，下面我們來談談可控硅在其使用中如何避免上述問題。一、靈敏度雙向可控硅是一個三端元件，但我們不
晶閘管的工作原理與應用
1 晶閘管(SCR)晶閘管簡稱晶閘管，又稱可控硅整流元件(SCR),是由三個PN一種由結構組成的大功率半導體設備。在性能方面，晶閘管不僅具有單向導電性，而且比硅整流元件具有較有**的可控性。它只有兩種狀態：導電和關閉。晶閘管有許多優點，如：小功率控制大功率，功率放大倍數高達數十萬倍；反應快，微秒內開關；無接觸操作，無火花，無噪音；效率高，成本低。因此，特別是在大功率方面UPS晶閘管廣泛應用于整流電
【英飛凌IGBT模塊】IGBT原理
IGBT原理方法IGBT是將強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進化。由于實現一個較高的擊穿電壓BVDSS需要一個源漏通道，而這個通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點。雖然較新一代功率MOSFET 器件大幅度改進了RDS(on)特性，但是在高電平時，功率導通損耗仍然要比IGBT 技術高