北軟失效分析實(shí)驗(yàn)室參觀

時(shí)間：2020-07-03作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：158

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• 詞條

  詞條說(shuō)明

• FIB功能介紹

  FIB - SEM雙束系統(tǒng)在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用 隨著半導(dǎo)體電子器件及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，器件及電路結(jié)構(gòu)越來(lái)越復(fù)雜，這對(duì)微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來(lái)越高。FIB - SEM雙束系統(tǒng)所具備的強(qiáng)大的精細(xì)加工和微觀分析功能，使其廣泛應(yīng)用于微電子設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域。 基本原理： FIB - SEM雙束系統(tǒng)是指同時(shí)具有聚焦離子束（Focused Ion Beam，F(xiàn)IB）和掃描電子顯微鏡（

• 電子元器件失效分析方法經(jīng)驗(yàn)

  失效分析常用方法匯總 芯片在設(shè)計(jì)生產(chǎn)使用各環(huán)節(jié)都有可能出現(xiàn)失效，失效分析伴隨芯片全流程。 這里根據(jù)北軟檢測(cè)失效分析實(shí)驗(yàn)室經(jīng)驗(yàn)，為大家總結(jié)了失效分析方法和分析流程，供大家參考。 一、C-SAM（超聲波掃描顯微鏡)，屬于無(wú)損檢查: 檢測(cè)內(nèi)容包含： 1.材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu)、雜質(zhì)顆粒、夾雜物、沉淀物 2.內(nèi)部裂紋 3.分層缺陷 4.空洞、氣泡、空隙等。 二、 X－Ray（X光檢測(cè)），屬于無(wú)損檢查: X-R

• 樣品失效分析具體操作

  1.1 失效和失效分析 產(chǎn)品喪失規(guī)定的功能稱為失效。判斷失效的模式，查找失效原因和機(jī)理，提出預(yù)防再失效的對(duì)策的技術(shù)活動(dòng)和管理活動(dòng)稱為失效分析。 1.2 失效和事故 失效與事故是緊密相關(guān)的兩個(gè)范疇，事故強(qiáng)調(diào)的是后果，即造成的損失和危害，而失效強(qiáng)調(diào)的是機(jī)械產(chǎn)品本身的功能狀態(tài)。失效和事故常常有一定的因果關(guān)系，但兩者沒(méi)有必然的聯(lián)系。 1.3 失效和可靠 失效是可靠的反義詞。機(jī)電產(chǎn)品的可靠度R(t）是指時(shí)間

• FIB/SEM/EDX技術(shù)指標(biāo)

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離