【德國西門康可控硅】可控硅工作原理

時間：2021-09-13

作者：上海秦邦電子科技有限公司

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詞條說明
熔斷器要怎么選？
1.熔斷器類型的選用根據(jù)使用環(huán)境、負載性質(zhì)和短路電流的大小選用適當類型的熔斷器。例如，對于容量較小的照明電路，可選用RT系列圓筒帽型熔斷器；相對于短路電流相當大或有易燃氣體的地方，應選用RT系列有填料密封管式熔斷器；在機床控制電路中，多選用RL系列螺旋式熔斷器；用于半導體功率元件及晶閘管的保護時，應選用RS或RLS系列快速熔斷器。2.熔斷器額定電壓和額定電流的選用熔斷器的額定電壓必須不小于電路的額
【可控硅模塊】可控硅模塊特點
可控硅模塊特點1、整流結構**采用**出口變壓器結構設計大大提高了整流效率節(jié)約了能源并使整機體積、重量大為減小，可靠性大為提高。2、控制特性良好采用的控制電路與**主流可控硅控制電路可完全互換，該控制電路它具有自動穩(wěn)壓/穩(wěn)流、自動電流密度、0-180秒任意調(diào)節(jié)軟啟動等良好控制功能，并可通過接口實現(xiàn)計算機控制，是目前**的可控硅控制系統(tǒng)。工作穩(wěn)定、抗干擾能力強、穩(wěn)流/穩(wěn)壓精度高、使用壽命長。3、工作
英飛凌IGBT模塊檢測方法
英飛凌IGBT模塊檢測方法：測試方式：用萬用表只能測量，但不全面，若IGBT損壞一般可以測量出來，但是，若IGBT是好的，它無法肯定是好的。IGBT損壞標準：GE、EG、CE、GC、CG任意一組出現(xiàn)二極管檔有讀數(shù)，即為損壞。（GE表示G接正表筆，E接負表筆；其它類同）IGBT的EC之間接有二極管，所以為導通狀態(tài)，電壓為0.34V左右。若想完整測試IGBT需要用晶體管圖示儀。以英飛凌FF450R1
SKiiP智能Mini迷你IGBT模塊設計特點？
MiniSKiiP產(chǎn)品的設計特點是在負載和門較端子中使用易于裝配且便于維護的彈簧連接。相較于需要昂貴的焊接設備、焊接過程費時的傳統(tǒng)焊接模塊，MiniSKiiP組裝*任何特殊工具，僅使用一到兩個螺絲連接，一步便可組裝好印刷電路板（PCB）、功率模塊和散熱片。圖1：MiniSKiiP裝配示意圖圖2：MiniSKiiP系列封裝MiniSKiiP可以提供電機驅(qū)動應用的所有拓撲，如CIB(變流器-逆變器-