PVD技術在半導體器件中的應用

時間：2024-07-18

作者：鵬城半導體技術（深圳）有限公司

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化學氣相沉積設備（CVD）-小型管式LPCVD設備
LPECVD是在低壓高溫的條件下，通過化學反應氣相外延的方法在襯底上沉積各種功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）?？捎糜诳茖W研究、實踐教學、小型器件制造。小型管式LPCVD設備設備結構及特點1、小型化，方便實驗室操作和使用，大幅降低實驗成本兩種基片尺寸2英寸或4英寸；每次裝片1～3片?；胖梅绞剑号渲萌N基片托架，豎直、水平臥式、帶傾角?；螤铑愋停翰灰巹t形狀的散片、φ2～4
重磅-鵬城半導體子公司鵬城微納獲3項計算機軟件著作權登記證書！
近日，經*人民共和國國家**審核，根據《zhrnghg計算機軟件保護條例》和《計算機軟件著作權登記辦法》的規定，“鵬城半導體技術（深圳）有限公司-全資子公司鵬城微納技術（沈陽）有限公司”獲3項《zhrnghg國家**計算機軟件著作權登記證書》，分別是：《多功能磁控濺射系統軟件V1.0》、《高真空熱蒸發薄膜沉積系統軟件V1.0》、《立式多功能熱絲CVD沉積系統軟件V1.0》。從頒證之日起，該3
真空鍍膜行業發展趨勢，低耗能無污染先進技術
1、真空鍍膜行業技術水平及特點多功能磁控濺射儀（高真空磁控濺射鍍膜機）-鵬城半導體真空鍍膜是表面處理技術的一項分支，是指為了減少雜質的干擾，在高度真空環境下，通過物理或化學手段，將金屬、非金屬或化合物材料（膜材）轉換成氣態或等離子態，并沉積于玻璃、金屬、陶瓷、塑料或**材料等固體材質（簡稱基材、基板或基片）表面形成薄膜的過程。利用真空鍍膜技術鍍制薄膜后，可使材料表面獲得新的復合性能并實現新型的工程
半導體制造及先進封裝持續升溫
得益于政策的有力支持、行業周期性的變化、創新驅動的增長以及國產替代的加速推進，從IC設計到晶圓制造、封裝測試，再到設備材料等多個細分領域，國產化率實現了顯著提升，標志著我國半導體產業正朝著自主可控的方向穩步邁進。半導體材料國產化率仍在進一步提升2025年，**半導體產能的年增長率將達到6.6%，每月3360萬片晶圓，而主流制程產能將實現6%的增長，達到每月1500萬片。相較于**制程，成熟制程的工