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硅片切割一般有什么難點?1、雜質線痕:由多晶硅錠內雜質引起,在切片過程中無法完全去除,導致硅片上產生相關線痕。2、劃傷線痕:由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結塊引起。切割過程中,SIC顆粒“卡”在鋼線與硅片之間,無法溢出,造成線痕。表現形式:包括整條線痕和半截線痕,內凹,線痕發亮,較其它線痕較加窄細。3、密布線痕(密集型線痕):由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統問題,造成硅片上出現密集線痕區
硅片清洗廢水處理的工藝流程硅片清洗廢水處理是硅片切割后將硅錠用破錠機切割成硅塊,再用線鋸機將硅塊切割成硅片的過程,是光伏企業的重要生產環節。硅塊和硅片切割完成后大部分切割液回收再利用,硅塊和硅片上殘存少量切割液,需進行清洗,清洗過程產生含有切割液等**物的廢水。今天,小編就給大家介紹下硅片清洗廢水處理的工藝流程吧。廢水的主要成分為聚乙二醇,可生化性較差,COD較高,較難處理。因水中沒有氮、磷等營養
現在激光加工工藝不斷深入與創新,一種應用較低功率的激光,便能使玻璃分離的玻璃激光切割新技術出現,這一技術不對玻璃造成融化等熱影響,這種可控的切割新技術與傳統的機械切割工具不同,激光束的能量以一種非接觸的方式對玻璃進行切割,形成一條光滑而筆直的裂縫,不會有碎屑和微裂紋出現,因而激光切割的邊緣強度大幅提升,且免除了后續的加工。使用激光法可一步切割厚度為0.1mm到4mm的玻璃。影響切割速度的因素有:玻
硅片切割難點:1、雜質線痕:由多晶硅錠內雜質引起,在切片過程中無法完全去除,導致硅片上產生相關線痕。2、劃傷線痕:由砂漿中的SIC大顆?;蛏皾{結塊引起。切割過程中,SIC顆粒“卡”在鋼線與硅片之間,無法溢出,造成線痕。 表現形式:包括整條線痕和半截線痕,內凹,線痕發亮,較其它線痕較加窄細。 3、密布線痕(密集型線痕):由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統問題,造成硅片上出現密集線痕區域。
公司名: 北京華諾恒宇光能科技有限公司
聯系人: 張經理
電 話: 010-83687269
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地 址: 北京豐臺花鄉北京市豐臺區南三環玉泉營橋西春嵐大廈1號樓2單元102室
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