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詞條說明
硅片切割一般有什么難點1、雜質線痕:由多晶硅錠內雜質引起,在切片過程中無法完全去除,導致硅片上產生相關線痕。2、劃傷線痕:由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結塊引起。切割過程中,SIC顆粒“卡”在鋼線與硅片之間,無法溢出,造成線痕。 表現形式:包括整條線痕和半截線痕,內凹,線痕發亮,較其它線痕更加窄細。 3、密布線痕(密集型線痕):由于砂漿的磨削能力不夠或者切片機砂漿回路系統問題,造成硅片上出現密集線痕
介紹半導體器件生產中硅片須經嚴格清洗。微量污染也會導致器件失效。清洗的目的在于清除表面污染雜質,包括**物和無機物。這些雜質有的以原子狀態或離子狀態,有的以薄膜形式或顆粒形式存在于硅片表面。**污染包括光刻膠、**溶劑殘留物、合成蠟和人接觸器件、工具、器皿帶來的油脂或纖維。無機污染包括重金屬金、銅、鐵、鉻等,嚴重影響少數載流子壽命和表面電導;堿金屬如鈉等,引起嚴重漏電;顆粒污染包括硅渣、塵埃、細菌
光纖激光產品特點·高配置:采用進口光纖激光器,光束質量更好(標準基模)、切縫更細(30μm)、邊緣更平整光滑。·免維護:整機采用國際標準模塊化設計,真正免維護、不間斷連續運行、無消耗性易損件更換。·操作方便:設備集成風冷設置,設備體積更小,操作更簡單。·**控制軟件:專為激光劃片機而設計的控制軟件,操作簡單,能實時顯示劃片路徑。·工作效率高:T型臺雙工位交替運行,提高工作效率.較大劃片速度可達20
硅片精密切割操作中會出現哪些問題硅片切割要求很高,而且切割機的技術水平非常優秀,才能制作出**的作品。硅片切割本身并不是一件容易的事情,其中會有問題。我們在操作中要注意。1、雜質線痕:由多晶硅錠內雜質引起,在切片過程中無法完全去除,導致硅片上產生相關線痕。2、劃傷線痕:由砂漿中的SIC大顆粒或砂漿結塊引起。切割過程中,SIC顆粒“卡”在鋼線與硅片之間,無法溢出,造成線痕。表現形式:包括整條線痕和半
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