等離子體處理對(duì)金剛石發(fā)生Raman散射熒光增強(qiáng)的原因研究

時(shí)間：2023-03-14作者：深圳子柒科技有限公司瀏覽：142

深圳子柒科技有限公司專注于等離子表面處理機(jī),全自動(dòng)點(diǎn)膠機(jī),等離子清洗機(jī)等

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  詞條說明

• 等離子體CMOS工藝中應(yīng)用于集成電路制造中WAT方法研究

  WAT(Wafer Accept Test)即硅圓片接收測(cè)試，就是在半導(dǎo)體硅片完成所有的制程工藝后，對(duì)硅圓片上的各種測(cè)試結(jié)構(gòu)進(jìn)行電性測(cè)試，它是反映產(chǎn)品質(zhì)量的一種手段，是產(chǎn)品入庫前進(jìn)行的一道質(zhì)量檢驗(yàn)。? ? ? ??伴隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，等離子體工藝已廣泛應(yīng)用于集成電路制造中，離子注入、干法刻蝕、干法去膠、UV輻射、薄膜淀積等都可能會(huì)引入等離子體損

• 等離子體刻蝕機(jī)清洗技術(shù)在塑料及橡膠行業(yè)中的應(yīng)用

  等離子體刻蝕機(jī)是利用高頻輝光放電反應(yīng)，將反應(yīng)氣體為原子或游離基等具有活性的粒子，這些活性粒子擴(kuò)散到需要腐蝕的位置，然后與被刻蝕的物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)，形成揮發(fā)性反應(yīng)物，這種腐蝕方法也稱為干腐蝕。等離子化洗蝕刻技術(shù)是電漿特殊特性的應(yīng)用。等離子體清洗蝕刻技術(shù)的形成設(shè)備，是在密閉器皿內(nèi)用進(jìn)口真空泵達(dá)到相應(yīng)的真空度，隨著氣體的稀薄，分子間隔及分子與離子之間的自由運(yùn)動(dòng)距離變長(zhǎng)，在電場(chǎng)的作用下碰撞形成等離子體，這些離

• 電漿清洗機(jī)比超聲波清洗機(jī)在處理微觀材料表層顯得更環(huán)保

  電漿清洗機(jī)是1種嶄新的科技創(chuàng)新，使用等離子體高過日常潔凈方式難以高過的功效。等離子體是物質(zhì)的狀態(tài)，也稱為物質(zhì)的*四狀態(tài)。在氣體中施加足夠的能量使其分離成等離子。等離子體的“活性”組分包含：離子、電子、活性基團(tuán)、激發(fā)態(tài)的核素（亞穩(wěn)態(tài)）、光子等。電漿清洗機(jī)使用這種活性成份的類型處理試樣表層，高過清潔等作用。常壓電漿清洗機(jī)可選用多種型號(hào)的噴嘴，用于不同場(chǎng)合，以滿足各種不同的產(chǎn)品和處理環(huán)境；小型化的設(shè)備體

• ?plasma等離子體能量密度對(duì)H2氣氛下C2H6脫氫反應(yīng)的影響

  ?plasma等離子體能量密度為860 kJ/mol時(shí)，H2添加量對(duì)C2H6脫氫反應(yīng)的影響：隨著H2濃度增加，C2H6轉(zhuǎn)化率，C2H2、C2H4和CH4收率均有所增加，這表明H2的加入有利于C2H6轉(zhuǎn)化及C2H2、C2H4和CH4生成。產(chǎn)生上述結(jié)果的可能原因是：一方面氫氣因其導(dǎo)熱性好，可大量傳遞熱量，在乙烷plasma等離子體中起稀釋氣體作用;另一方面氫氣的H-H鍵斷裂能為4.48eV，