詞條
詞條說(shuō)明
《晶柱成長(zhǎng)制程》 硅晶柱的長(zhǎng)成,首先需要將純度相當(dāng)高的硅礦放入熔爐中,并加入預(yù)先設(shè)定好的金屬物質(zhì),使產(chǎn)生出來(lái)的硅晶柱擁有要求的電性特質(zhì),接著需要將所有物質(zhì)融化后再長(zhǎng)成單晶的硅晶柱,以下將對(duì)所有晶柱長(zhǎng)成制程做介紹。 長(zhǎng)晶主要程序︰ 融化(MeltDown) 此過(guò)程是將置放于石英坩鍋內(nèi)的塊狀復(fù)晶硅加熱制**攝氏1420度的融化溫度之上,此階段中較重要的參數(shù)為坩鍋的位置與熱量的供應(yīng),若使用較大的功率來(lái)
典型失效分析流程失效分析 一、失效分析簡(jiǎn)述 失效分析是一門新興發(fā)展中的學(xué)科,在提高產(chǎn)品質(zhì)量,技術(shù)開發(fā)、改進(jìn),產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。 二、開展失效分析的意義 失效分析對(duì)產(chǎn)品的生產(chǎn)和使用都具有重要的意義,失效可能發(fā)生在產(chǎn)品壽命周期的各個(gè)階段,涉及產(chǎn)品的研發(fā)設(shè)計(jì)、來(lái)料檢驗(yàn)、加工組裝、測(cè)試篩選、客戶端使用等各個(gè)環(huán)節(jié),通過(guò)分析工藝廢次品、早期失效、試驗(yàn)失效、中試失效以及現(xiàn)場(chǎng)失效的樣
芯片的前世今生 莊子有言:“一日之錘日取其半,萬(wàn)世不竭”。這句話的意思是指一尺的東西今天取其一半,明天取其一半的一半,后天再取其一半的一半的一半,總有一半留下,所以永遠(yuǎn)也取不盡,這體現(xiàn)了物質(zhì)是無(wú)限可分的思想。魏少軍教授講到,半導(dǎo)體和芯片的發(fā)展,恰好就是按照這樣一半一半的往下縮小,而且縮小的過(guò)程到現(xiàn)在為止還沒(méi)有停止。 但是,縮小過(guò)程當(dāng)中必須按照某種規(guī)則來(lái)進(jìn)行,也就是要按照規(guī)矩,沒(méi)有規(guī)矩,那就不能成方
1.OM 顯微鏡觀測(cè),外觀分析 2.C-SAM(超聲波掃描顯微鏡) (1)材料內(nèi)部的晶格結(jié)構(gòu),雜質(zhì)顆粒,夾雜物,沉淀物, (2) 內(nèi)部裂紋。(3)分層缺陷。(4)空洞,氣泡,空隙等。 3. X-Ray 檢測(cè)IC封裝中的各種缺陷如層剝離、爆裂、空洞以及打線的完整性,PCB制程中可能存在的缺陷如對(duì)齊不良或橋接,開路、短路或不正常連接的缺陷,封裝中的錫球完整性。(這幾種是芯片發(fā)生失效后首先使用的非破壞性
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半導(dǎo)體探針臺(tái)手動(dòng)探針臺(tái)電性測(cè)試探針臺(tái)probe station失效分析設(shè)備wafer測(cè)試芯片測(cè)試設(shè)備
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聚焦離子束顯微鏡FIB線路修改切線連線異常分析失效分析
超聲波掃描顯微鏡CSAN無(wú)損檢測(cè)空洞分層異物測(cè)試SAT失效分析
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