失效分析原理

時間：2020-03-24作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：164

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  詞條說明

• 聚焦離子束FIB

  聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam 服務(wù)介紹：FIB（聚焦離子束，F(xiàn)ocused Ion beam）是將液態(tài)金屬離子源產(chǎn)生的離子束經(jīng)過離子槍加速，聚焦后照射于樣品表面產(chǎn)生二次電子信號**電子像，此功能與SEM（掃描電子顯微鏡）相似，或用強(qiáng)電流離子束對表面原子進(jìn)行剝離，以完成微、納米級表面形貌加工。 服務(wù)范圍：工業(yè)和理論材料研究，半導(dǎo)體，數(shù)據(jù)存儲，自然資源等領(lǐng)域 服務(wù)內(nèi)容：1.芯片電路修改

• 芯片行業(yè)的困境

  芯片行業(yè)的困境 過去幾十年，在摩爾定律的指導(dǎo)下，芯片中的晶體管數(shù)量大約每兩年翻一番。晶體管的微縮技術(shù)革新增加了晶體管的密度。摩爾定律在20世紀(jì)60年代**被發(fā)現(xiàn)，并一直延續(xù)到2010年代，至此以后，晶體管密度的發(fā)展開始放緩。如今，主流芯片包含了數(shù)十億個晶體管，但如果摩爾定律能夠繼續(xù)按照當(dāng)時的速度發(fā)展下去，它們的晶體管數(shù)量將是現(xiàn)在的15倍。 每一代晶體管密度的增加，被稱為“節(jié)點(diǎn)”。每個節(jié)點(diǎn)對應(yīng)于晶體

• 芯片漏電分析手段被誤導(dǎo)了很多年

  一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH，甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識。 OBIRCH其實(shí)只是一種技術(shù)，是早年日本NEC發(fā)明并申請了專li。它的原理是：給IC加上電壓，使其內(nèi)部有微小電流流過，同時在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。 激光掃描的同時，對微小電流進(jìn)行監(jiān)測，當(dāng)激光掃到某個位置，電流發(fā)生較大變化，設(shè)備對這個點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記，也就是說這個位置即為

• 聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX

  聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術(shù)指標(biāo) 一、技術(shù)指標(biāo) 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離