失效分析簡(jiǎn)介

時(shí)間：2020-03-24作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：163

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• 詞條

  詞條說明

• 失效分析FA方法介紹

  失效分析（FA）是一門發(fā)展中的新興學(xué)科，近年開始從**向普通企業(yè)普及。它一般根據(jù)失效模式和現(xiàn)象，通過分析和驗(yàn)證，模擬重現(xiàn)失效的現(xiàn)象，找出失效的原因，挖掘出失效的機(jī)理的活動(dòng)。在提高產(chǎn)品質(zhì)量，技術(shù)開發(fā)、改進(jìn)，產(chǎn)品修復(fù)及仲裁失效事故等方面具有很強(qiáng)的實(shí)際意義。其方法分為有損分析，無損分析，物理分析，化學(xué)分析等 北軟檢測(cè)失效分析 失效分析的意義：分析機(jī)械零器件失效原因，為事故責(zé)任認(rèn)定、偵破刑事犯罪案件、裁定

• FIB功能介紹

  FIB - SEM雙束系統(tǒng)在微電子領(lǐng)域的應(yīng)用 隨著半導(dǎo)體電子器件及集成電路技術(shù)的飛速發(fā)展，器件及電路結(jié)構(gòu)越來越復(fù)雜，這對(duì)微電子芯片工藝診斷、失效分析、微納加工的要求也越來越高。FIB - SEM雙束系統(tǒng)所具備的強(qiáng)大的精細(xì)加工和微觀分析功能，使其廣泛應(yīng)用于微電子設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域。 基本原理： FIB - SEM雙束系統(tǒng)是指同時(shí)具有聚焦離子束（Focused Ion Beam，F(xiàn)IB）和掃描電子顯微鏡（

• 半導(dǎo)體材料SiC和GaN

  寬禁帶半導(dǎo)體材料SiC和GaN 的研究現(xiàn)狀 **代半導(dǎo)體材料一般是指硅（Si）元素和鍺（Ge）元素，其奠定了20 世紀(jì)電子工業(yè)的基礎(chǔ)。*二代半導(dǎo)體材料主要指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、磷化鎵（GaP）、砷化銦（InAs）、砷化鋁（AlAs）及其合金化合物等，其奠定了20 世紀(jì)信息光電產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。*三代寬禁帶半導(dǎo)體材料一般是指氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氮化鋁（

• IC產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性測(cè)試

  IC產(chǎn)品質(zhì)量與可靠性測(cè)試 AA探針臺(tái) 2018-01-19 閱讀5914 質(zhì)量（Quality）和可靠性（Reliability）在一定程度上可以說是IC產(chǎn)品的生命，好的品質(zhì)，長久的耐力往往就是一顆優(yōu)秀IC產(chǎn)品的競(jìng)爭(zhēng)力所在。在做產(chǎn)品驗(yàn)證時(shí)我們往往會(huì)遇到三個(gè)問題，驗(yàn)證什么，如何去驗(yàn)證，哪里去驗(yàn)證，這就是what, how , where 的問題了。 解決了這三個(gè)問題，質(zhì)量和可靠性就有了保證，制造商才