半導體材料SiC和GaN

時間：2020-04-10

作者：儀準科技（北京）有限公司

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聚焦離子束顯微鏡FIB/SEM/EDX FEI Scios 2 DualBeam技術指標一、技術指標 1、電子束電流范圍：1 pA - 400 nA； 2、電子束電壓：200eV-30 keV，具有減速模式 3、電子束分辨率：0.7 nm (30 keV)、1.4 nm(1 keV) 4、大束流Sidewinder離子鏡筒； 5、離子束加速電壓500V-30kV（分辨率：3.0 nm）； 6、離
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