金相試樣制備及常見問題

時(shí)間：2020-04-13作者：儀準(zhǔn)科技（北京）有限公司瀏覽：172

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• 詞條

  詞條說明

• 失效分析案例介紹

  一、板電后圖電前擦花 1、斷口處的銅表面光滑、沒有被蝕痕跡。 2、OPEN處的基材有或輕或重的被損傷痕跡（發(fā)白）。 3、形狀多為條狀或塊狀。 ４、附近的線路可能有滲鍍或線路不良出現(xiàn)。 ５、從切片上看，圖電層會包裹板電層和底銅。 二、銅面附著干膜碎 1、斷口處沙灘位與正常線路一致或相差很小 2、斷口處銅面平整、沒有發(fā)亮 三、銅面附著膠或類膠的抗鍍物 1、斷口處銅面不平整、發(fā)亮；有時(shí)成鋸齒狀 2、通常

• 芯片手術(shù)芯片開封介紹

  芯片手術(shù)芯片開封介紹 芯片開封也就是給芯片做外科手術(shù)，通過開封我們可以直觀的觀察芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，開封后可以結(jié)合OM分析判斷樣品現(xiàn)狀和可能產(chǎn)生的原因。 開封的含義：Decap即開封，也稱開蓋，開帽，指給完整封裝的IC做局部腐蝕，使得IC可以暴露出來，同時(shí)保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受損傷, 為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備，方便觀

• 芯片漏電分析手段被誤導(dǎo)了很多年

  一提到IC漏電定位大家都認(rèn)為只有OBIRCH，甚至現(xiàn)在可笑的是認(rèn)為OBIRCH是一種設(shè)備的名稱。今天小編給大家普及一下這方面的知識。 OBIRCH其實(shí)只是一種技術(shù)，是早年日本NEC發(fā)明并申請了專li。它的原理是：給IC加上電壓，使其內(nèi)部有微小電流流過，同時(shí)在芯片表面用激光進(jìn)行掃描。 激光掃描的同時(shí)，對微小電流進(jìn)行監(jiān)測，當(dāng)激光掃到某個(gè)位置，電流發(fā)生較大變化，設(shè)備對這個(gè)點(diǎn)進(jìn)行標(biāo)記，也就是說這個(gè)位置即為

• 晶柱切片后處理

  《晶柱切片后處理》 硅晶柱長成后，整個(gè)晶圓的制作才到了一半，接下必須將晶柱做裁切與檢測，裁切掉頭尾的晶棒將會進(jìn)行外徑研磨、切片等一連串的處理，最后才能成為一片片**非凡的晶圓，以下將對晶柱的后處理制程做介紹。 切片（Slicing） 長久以來經(jīng)援切片都是采用內(nèi)徑鋸，其鋸片是一環(huán)狀薄葉片，內(nèi)徑邊緣鑲有鉆石顆粒，晶棒在切片前預(yù)先黏貼一石墨板，不僅有利于切片的夾持，較可以避免在最后切斷階段時(shí)鋸片離開晶棒